-
公开(公告)号：DE102016111573B4
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：DE102016111573
申请日：2016-06-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS , BABULANO GIULIANO ANGELO , CHEN LIU , DINKEL MARKUS , GRUBER MARTIN , JOST FRANZ , MEYER THORSTEN , MIESLINGER STEFAN , OETJEN JENS , SALMINEN TONI
Abstract: Verbindungsmodul, das Folgendes umfasst:eine Metallklemme (702), die einen ersten Endabschnitt (704), einen zweiten Endabschnitt (706) und einen Mittelabschnitt (708), der sich zwischen dem ersten und dem zweiten Endabschnitt (704, 706) erstreckt, umfasst, wobei der erste Endabschnitt (704) zum externen Anbringen an einem/einer Halbleiternacktchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an einem Träger oder an einem Metallbereich des Trägers angebracht ist, konfiguriert ist, der zweite Endabschnitt (706) zum externen Anbringen an einem anderen Metallbereich des Trägers oder an einem/einer anderen Halbleiterchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an dem Träger angebracht ist, konfiguriert ist; undeinen Magnetfeldsensor (104), der an der Metallklemme (702) befestigt ist, wobei der Magnetfeldsensor (104) arbeitet, um ein Magnetfeld abzufühlen, das durch Strom produziert wird, der durch die Metallklemme (702) fließt,wobei die Metallklemme (702) in eine Einkapselung (712) eingebettet ist und wobei elektrische Kontaktstellen (714) an einer Seite des Magnetfeldsensors (104) angeordnet sind, die von der Metallklemme (702) weg weist, wobei die elektrischen Kontaktstellen (714) jeweils zum Anbringen eines Bonddrahtes ausgebildet sind, undwobei eine Oberfläche des Mittelabschnitts (708) der Metallklemme (702), die von dem Magnetfeldsensor (104) weg weist, durch die Einkapselung (712) bedeckt ist.
-
公开(公告)号：DE102018112498A1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：DE102018112498
申请日：2018-05-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHEN LIU , DELAROZEE GILLES , KOO WEI HAN , LEE TECK SIM , STOEK THOMAS , WONG JIA YI
IPC: H01L23/36 , H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: Eine Halbleiter-Chip-Baugruppe umfasst einen elektrisch leitfähigen Träger und einen Halbleiter-Chip, der über dem elektrisch leitfähigen Träger angeordnet ist. Der Halbleiter-Chip weist eine erste Oberfläche, die dem elektrisch leitfähigen Träger zugewendet ist, und eine zweite Oberfläche, die zu der ersten Oberfläche entgegengesetzt ist, auf. Eine Metallplatte weist eine erste Oberfläche, die mit der zweiten Oberfläche des Halbleiter-Chips mechanisch verbunden ist, und eine zweite Oberfläche, die zu der ersten Oberfläche der Metallplatte entgegengesetzt ist, auf. Die Metallplatte überlappt die zweite Oberfläche des Halbleiter-Chips vollständig. Die zweite Oberfläche der Metallplatte ist an einem Umfang der Halbleiter-Chip-Baugruppe zumindest teilweise freiliegend.
-
公开(公告)号：DE102016111573A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：DE102016111573
申请日：2016-06-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BABULANO GIULIANO ANGELO , CHEN LIU , DINKEL MARKUS , GRUBER MARTIN , JOST FRANZ , MEYER THORSTEN , MIESLINGER STEFAN , OETJEN JENS , SALMINEN TONI , SCHALLER RAINER MARKUS
Abstract: Ein Verbindungsmodul enthält eine Metallklemme, die einen ersten Endabschnitt, einen zweiten Endabschnitt und einen Mittelabschnitt, der sich zwischen dem ersten Endabschnitt und dem zweiten Endabschnitt erstreckt. Der erste Endabschnitt ist zum externen Befestigen an einem Halbleiternacktchip oder einer Halbleiterchipbaugruppe, der/die an einem Träger angebracht ist, oder an einem Metallbereich des Trägers konfiguriert. Der zweite Endabschnitt ist konfiguriert zum externen Anbringen an einem anderen Metallbereich des Trägers oder an einem/einer anderen Halbleiterchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an dem Träger angebracht ist. Das Modul enthält ferner einen Magnetfeldsensor, der an der Metallklemme befestigt ist. Der Magnetfeldsensor arbeitet, um ein Magnetfeld abzufühlen, das durch Strom, der durch die Metallklemme fließt, produziert wird. Das Verbindungsmodul kann verwendet werden, um eine direkte elektrische Verbindung zwischen Komponenten und/oder Metallbereichen eines Trägers, an dem das Modul angebracht ist, zu bilden.
-
公开(公告)号：DE102016111248A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：DE102016111248
申请日：2016-06-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHEN LIU , SALMINEN TONI , MIESLINGER STEFAN , BABULANO GIULIANO ANGELO , OETJEN JENS , DINKEL MARKUS , JOST FRANZ
Abstract: Ein Leistungshalbleiter-Package enthält ein Substrat mit mehreren Metallzuleitungen, einen Leistungshalbleiter-Die, der an einer ersten der Zuleitungen angebracht ist, und einen Magnetfeldsensor, der in das gleiche Leistungshalbleiter-Package wie der Leistungshalbleiter-Die integriert und in unmittelbarer Nähe zu einem Stromweg des Leistungshalbleiter-Die positioniert ist. Der Magnetfeldsensor kann betätigt werden zum Generieren eines Signals als Reaktion auf ein Magnetfeld, das durch einen im Stromweg fließenden Strom erzeugt wird, wobei die Größe des Signals proportional zu der im Stromweg fließenden Strommenge ist.
-
公开(公告)号：DE102014112330A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：DE102014112330
申请日：2014-08-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHAEFER JÜRGEN , CHEN LIU , DINKEL MARKUS , MACHEINER STEFAN , OSSIMITZ PETER
Abstract: Eine elektronische Vorrichtung umfasst ein Substrat, mindestens einen elektronischen Chip, der auf dem Substrat montiert und elektrisch damit verbunden ist und als Systemsteuereinheit zum Steuern eines verbunden Systems konfiguriert ist, eine Wärmeableitstruktur, die thermisch mit dem mindestens einen elektronischen Chip verbunden ist und zum Ableiten von Wärme, die von dem mindestens einen elektronischen Chip bei Betrieb der elektronischen Vorrichtung erzeugt wird, konfiguriert ist, und eine Überspritzstruktur, die zum mindestens teilweisen Verkapseln des mindestens einen elektronischen Chips und des Substrats konfiguriert ist.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016111248B4
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：DE102016111248
申请日：2016-06-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHEN LIU , SALMINEN TONI , MIESLINGER STEFAN , BABULANO GIULIANO ANGELO , OETJEN JENS , DINKEL MARKUS , JOST FRANZ
Abstract: Leistungshalbleiter-Package, umfassend:ein Substrat mit mehreren Metallzuleitungen;einen Leistungshalbleiter-Die, der an einer ersten der Zuleitungen angebracht ist; undeinen Magnetfeldsensor, der in das gleiche Leistungshalbleiter-Package wie der Leistungshalbleiter-Die integriert und in unmittelbarer Nähe zu einem Stromweg des Leistungshalbleiter-Die positioniert ist, wobei der Magnetfeldsensor betätigt werden kann zum Generieren eines Signals als Reaktion auf ein Magnetfeld, das durch einen im Stromweg fließenden Strom erzeugt wird, wobei die Größe des Signals proportional zu der im Stromweg fließenden Strommenge ist, wobei der Magnetfeldsensor:in den Leistungshalbleiter-Die eingebettet ist;auf dem Leistungshalbleiter-Die angeordnet ist; oderauf einem Metallclip angeordnet ist, der in dem Leistungshalbleiter-Package enthalten ist und der eine oder mehrere der Zuleitungen elektrisch mit dem Leistungshalbleiter-Die oder einer anderen der Zuleitungen verbindet.
-
公开(公告)号：DE102015113208B4
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：DE102015113208
申请日：2015-08-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHEN LIU , DINKEL MARKUS , SALMINEN TONI
IPC: H01L25/16 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: Verfahren zur Zusammenschaltung eines Leistungselektronikschaltkreises mit einem Logikschaltkreis, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines ersten Laminierungssubstrats (304) umfassend ein dielektrisches Material (306) und eine Metallfolie (308);Anordnen eines Logik-Leiterplatten-Kerns (200) und eines vorlaminierten Leistungshalbleitermodul-Inlays (302) auf dem ersten Laminierungssubstrat (304), wobei das Leistungshalbleitermodul-Inlay (302) einen oder mehrere Leistungshalbleiterchips (106) umfasst, die vollständig in einem dielektrischen Material (108) eingebettet sind;Anordnen eines zweiten Laminierungssubstrats (312) umfassend ein dielektrisches Material (314) und eine Metallfolie (316) auf dem Logik-Leiterplatten-Kern (200) und dem Leistungshalbleitermodul-Inlay (302), sodass ein Stapel gebildet wird;Laminieren des Stapels;Befestigen eines oder mehrerer Logikchips (118) an der Metallfolie (316) des zweiten Laminierungssubstrats (312) oberhalb des Logik-Leiterplatten-Kerns (200); undAusbilden einer einstückigen elastischen Verbindung (104) zwischen dem Leistungshalbleitermodul-Inlay (302) und dem Logik-Leiterplatten-Kern (200), wobei die einstückige elastische Verbindung (104) das Leistungshalbleitermodul-Inlay (302) mechanisch und elektrisch mit dem Logik-Leiterplatten-Kern (200) verbindet.
-
公开(公告)号：DE102014112330B4
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：DE102014112330
申请日：2014-08-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHAEFER JÜRGEN , CHEN LIU , DINKEL MARKUS , MACHEINER STEFAN , OSSIMITZ PETER
Abstract: Eine elektronische Vorrichtung, aufweisend:• ein Substrat;• mindestens einen elektronischen Chip, der an dem Substrat montiert und elektrisch mit dem Substrat verbunden ist und als eine Systemsteuereinheit zum Steuern eines verbundenen Systems konfiguriert ist;• eine Wärmeableitstruktur, die thermisch mit dem mindestens einen elektronischen Chip verbunden ist und zum Ableiten von Wärme, die von dem mindestens einen elektronischen Chip bei Betrieb der elektronischen Vorrichtung erzeugt wird, konfiguriert ist; und• eine Überspritzstruktur, die zum mindestens teilweisen Verkapseln des mindestens einen elektronischen Chips und des Substrats konfiguriert ist; wobei der mindestens eine elektronische Chip eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche gegenüberliegend der ersten Hauptoberfläche aufweist, wobei der mindestens eine elektronische Chip mit seiner ersten Hauptoberfläche an dem Substrat montiert ist und mit seiner zweiten Hauptoberfläche an der Wärmeableitstruktur montiert ist;wobei die Wärmeableitstruktur eine Vorkehrung zur mechanischen Befestigung aufweist, die zum mechanischen Befestigen der Vorrichtung an einer Montagebasis des verbundenen Systems konfiguriert ist;wobei die Wärmeableitstruktur verformbar ist, um eine unterschiedliche Höhe, die durch Höhenabmessungen unterschiedlicher elektronischer Chips hervorgerufen wird, auszugleichen.
-
公开(公告)号：DE102018121308A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：DE102018121308
申请日：2018-08-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SANDER RAINALD , CHEN LIU , LEE TECK SIM
IPC: H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: Eine Packung weist einen elektrisch leitenden Chipträger, einen ersten Chip, der einen ersten Verbindungsanschluss, einen zweiten Verbindunganschluss, der sich an dem Chipträger befindet, und einen Steueranschluss aufweist, einen zweiten Chip, der einen ersten Verbindungsanschluss, einen zweiten Verbindungsanschluss, der sich an dem Chipträger befindet, und einen Steueranschluss aufweist, wobei der erste Chip und der zweite Chip verbunden sind, um eine Halbbrücke zu bilden, die Eingangsanschlüsse und einen Ausgangsanschluss hat, und einen Clip auf, der drei Verbindungsbereiche hat, die den zweiten Verbindungsanschluss des ersten Chips mit dem ersten Verbindungsanschluss des zweiten Chips und mit dem Ausgangsanschluss der Halbbrücke verbinden.
-
公开(公告)号：DE102018114591B4
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：DE102018114591
申请日：2018-06-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BOIANCEANU CRISTIAN MIHAI , CHEN LIU , SOSIN SEBASTIAN , WOOD ANDREW
IPC: H01L23/488 , H01L29/78
Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100);einen Source-Leiter (21) auf dem Halbleiterkörper (100);einen Source-Clip (31), der sich auf dem Source-Leiters (21) befindet und mit dem Source-Leiter (21) elektrisch verbunden ist,ein erstes aktives Bauelementgebiet (110), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch den Source-Leiter (21) und den Source-Clip (31) bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10) aufweist; undein zweites aktives Bauelementgebiet (120), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch Bereiche des Source-Leiters (21), die nicht durch den Source-Clip (31) bedeckt sind, bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10, 10') aufweist,wobei das erste aktive Bauelementgebiet (110) einen ersten flächenspezifischen Ein-Widerstand aufweist,wobei das zweite aktive Bauelementgebiet (120) einen zweiten flächenspezifischen Ein-Widerstand aufweist,wobei der zweite flächenspezifische Ein-Widerstand größer als der erste flächenspezifische Ein-Widerstand ist undwobei der das erste aktive Bauelementgebiet (110) und das zweite aktive Bauelementgebiet (120) bedeckende Source-Leiter (21) ein zusammenhängender Source-Leiter (21) ist.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.023 seconds)
