公开(公告)号：DE102014116262B4

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：DE102014116262

申请日：2014-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/34 ,  H01L23/58

Abstract: Halbleitervorrichtung, welche Folgendes aufweist:eine erste Kontaktstelle (5), die auf einer Oberseite eines Werkstücks angeordnet ist,eine zweite Kontaktstelle (15), die auf der Oberseite des Werkstücks angeordnet ist,ein Isolationsgebiet (20, 30, 40), das zwischen der ersten Kontaktstelle (5) und der zweiten Kontaktstelle (15) angeordnet ist, undeine Mehrzahl von Metallstreifen (130), die zumindest teilweise innerhalb des Isolationsgebiets (20, 30, 40) angeordnet ist, wobei die Metallstreifen (130) nicht mit einem äußeren Potentialknoten gekoppelt sind,wobei die Metallstreifen in einer Richtung lang gestreckt und in einer dazu senkrechten Richtung schmal sind, undwobei die Metallstreifen entlang einer einzigen Richtung parallel zur Oberseite des Werkstücks orientiert und voneinander isoliert sind,wobei die erste Kontaktstelle (5) über einem ersten aktiven Gebiet (51) angeordnet ist und dafür ausgelegt ist, mit einem ersten äußeren Knoten gekoppelt zu werden, wobei die erste Kontaktstelle (5) mit dem ersten aktiven Gebiet (51) gekoppelt ist und wobei eine zweite Kontaktstelle (15) über einem zweiten aktiven Gebiet (52) angeordnet ist und dafür ausgelegt ist, mit einem zweiten äußeren Knoten gekoppelt zu werden, wobei die zweite Kontaktstelle (15) mit dem zweiten aktiven Gebiet (52) gekoppelt ist, wobei optional die erste Kontaktstelle (5) und die zweite Kontaktstelle (15) Teil einer Außenfläche der Halbleitervorrichtung sind.

公开(公告)号：DE102013108518A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102013108518

申请日：2013-08-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  PÖLZL MARTIN ,  VIELEMEYER MARTIN ,  BLANK OLIVER

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche, einer polykristallines Silizium aufweisenden Gateelektrodenstruktur eines IGFETs in einem ersten Graben, der sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, und einem von der Gateelektrodenstruktur des IGFETs verschiedenen und polykristallines Silizium aufweisenden Halbleiterelement in einem zweiten Graben, der sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, wobei das polykristalline Silizium des IGFETs und des hiervon verschiedenen Halbleiterelements unterhalb einer Oberseite einer an die erste Oberfläche des Halbleiterkörpers angrenzenden Isolationsschicht endet.

公开(公告)号：DE102018109950A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Beschrieben wird ein Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist; eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist; und eine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist. Das Feldelektrodendielektrikum (22) weist eine Dicke auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und das Driftgebiet (11) weist in einem Mesagebiet (11) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt.

公开(公告)号：DE102018109950B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist:ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist;eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist, undeine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist, wobei das Feldelektrodendielektrikum (32) eine Dicke aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und wobei das Driftgebiet (11) in einem Mesagebiet (111) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, wobei das Mesagebiet (111) in einer Richtung quer zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements an das Feldelektrodendielektrikum (22) angrenzt.

公开(公告)号：DE102020112193A1

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102020112193

申请日：2020-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MIESLINGER STEFAN ,  OSTERMANN THOMAS ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Halbleiterbauelements enthält das Halbleiterbauelement: einen ersten aktiven Zellbereich mit einer ersten Vielzahl paralleler Gate-Gräben; einen zweiten aktiven Zellbereich mit einer zweiten Vielzahl paralleler Gate-Gräben; und eine Metallisierungsschicht über dem ersten und dem zweiten aktiven Zellbereich. Die Metallisierungsschicht enthält: einen ersten Teil, der ein Halbleiter-Mesa-Gebiet zwischen der Vielzahl paralleler Gate-Gräben in dem ersten und dem zweiten aktiven Zellbereich kontaktiert, und einen zweiten Teil, der den ersten Teil umgibt. Der zweite Teil der Metallisierungsschicht kontaktiert die erste Vielzahl von Gate-Gräben entlang einer ersten Richtung und die zweite Vielzahl von Gate-Gräben entlang einer von der ersten Richtung verschiedenen zweiten Richtung.

公开(公告)号：DE102017118352A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102017118352

申请日：2017-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BRANDL PETER ,  BACH KARL-HEINZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Die Offenbarung beschreibt ein Halbleiterbauelement, das eine Feldeffekttransistoranordnung in einem Halbleiterkörper aufweist. Die Feldeffekttransistoranordnung weist eine Driftzone und ein Bodygebiet zwischen der Driftzone und einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers auf. Die Feldeffekttransistoranordnung weist ferner eine erste und zweite Grabenstrukturen aufweisende Vielzahl von Grabenstrukturen von einem ersten Typ auf, die sich von einer ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper erstrecken und eine maximale laterale Abmessung an der ersten Oberfläche aufweisen, die kleiner ist als eine Tiefe der ersten und zweiten Grabenstrukturen. Die erste Grabenstruktur und die zweite Grabenstruktur sind direkt benachbart. Eine Netto-Dotierungskonzentration in einer zwischen dem Bodygebiet und einem Boden der ersten Grabenstruktur gelegenen Referenztiefe an einer ersten Stelle in der Driftzone, die einen selben ersten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, ist wenigstens um 10% größer als an einer zweiten Stelle in der Referenztiefe, die einen selben zweiten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, wobei der zweite Abstand größer ist als der erste Abstand.

公开(公告)号：DE102017103310A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102017103310

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MISCHITZ MARTIN ,  SGIAROVELLO CLAUDIA ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L27/118

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Wafers. Das Verfahren umfasst eine Bereitstellen eines Wafers, der eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungsstrukturen aufweist, und ein Prüfen mindestens einer aus der Vielzahl von Halbleitervorrichtungsstrukturen. Auf der Grundlage eines Prüfergebnisses wird auf einem ausgewählten Abschnitt des Wafers eine Substanz bereitgestellt, die ein Schaltkreiselement in mindestens einer aus der Vielzahl von Halbleitervorrichtungsstrukturen selektiv konfiguriert.

公开(公告)号：DE102013108518B4

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：DE102013108518

申请日：2013-08-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  PÖLZL MARTIN ,  VIELEMEYER MARTIN ,  BLANK OLIVER

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (10) mit: einem Halbleiterkörper (12) mit einer Oberfläche (14), einer polykristallines Silizium (32) aufweisenden Gateelektrodenstruktur (20) eines IGFETs (22) in einem ersten Graben (28), der sich von der Oberfläche (14) in den Halbleiterkörper (12) hinein erstreckt, und einem von der Gateelektrodenstruktur (20) des IGFETs (22) verschiedenen und polykristallines Silizium (32) aufweisenden Halbleiterelement (26) in einem zweiten Graben (30), der sich von der Oberfläche (14) in den Halbleiterkörper (12) hinein erstreckt, wobei das polykristalline Silizium (32) des IGFETs (22) und des hiervon verschiedenen Halbleiterelements (26) unterhalb einer Oberseite (34) einer an die Oberfläche (14) des Halbleiterkörpers (12) angrenzenden Isolationsschicht (36) endet, und wobei das Halbleiterelement (26) eine Diode, einen Widerstand, einen Kondensator, eine Sensorstruktur, eine Schmelzverbindung und/oder Schmelzisolation, oder eine Randabschlussstruktur des IGFETs (22) umfasst.

公开(公告)号：DE102018114591B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102018114591

申请日：2018-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOIANCEANU CRISTIAN MIHAI ,  CHEN LIU ,  SOSIN SEBASTIAN ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L23/488 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100);einen Source-Leiter (21) auf dem Halbleiterkörper (100);einen Source-Clip (31), der sich auf dem Source-Leiters (21) befindet und mit dem Source-Leiter (21) elektrisch verbunden ist,ein erstes aktives Bauelementgebiet (110), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch den Source-Leiter (21) und den Source-Clip (31) bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10) aufweist; undein zweites aktives Bauelementgebiet (120), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch Bereiche des Source-Leiters (21), die nicht durch den Source-Clip (31) bedeckt sind, bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10, 10') aufweist,wobei das erste aktive Bauelementgebiet (110) einen ersten flächenspezifischen Ein-Widerstand aufweist,wobei das zweite aktive Bauelementgebiet (120) einen zweiten flächenspezifischen Ein-Widerstand aufweist,wobei der zweite flächenspezifische Ein-Widerstand größer als der erste flächenspezifische Ein-Widerstand ist undwobei der das erste aktive Bauelementgebiet (110) und das zweite aktive Bauelementgebiet (120) bedeckende Source-Leiter (21) ein zusammenhängender Source-Leiter (21) ist.

公开(公告)号：DE102018114591A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114591

申请日：2018-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOIANCEANU CRISTIAN MIHAI ,  CHEN LIU ,  SOSIN SEBASTIAN ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78

Abstract: Es wird ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement enthält: einen Halbleiterkörper (100); einen Source-Leiter (21) auf dem Halbleiterkörper (100); einen Source-Clip (31), der sich auf dem Source-Leiters (21) befindet und mit dem Source-Leiter (21) elektrisch verbunden ist; ein erstes aktives Bauelementgebiet (110), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch den Source-Leiter (21) und den Source-Clip (31) bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10) aufweist; und ein zweites aktives Bauelementgebiet (120), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch Bereiche des Source-Leiters (21), die nicht durch den Source-Clip (31) bedeckt sind, bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10, 10') aufweist. Das erste aktive Bauelementgebiet (110) weist einen ersten flächenspezifischen Ein-Widerstand auf und das zweite aktive Bauelementgebiet (120) weist einen zweiten flächenspezifischen Ein-Widerstand auf, wobei der zweite flächenspezifische Ein-Widerstand größer als der erste flächenspezifische Ein-Widerstand ist.