公开(公告)号：DE102015107085B4

公开(公告)日：2025-04-10

申请号：DE102015107085

申请日：2015-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  JELINEK MORIZ ,  STADTMÜLLER MICHAEL ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H10D30/60 ,  H10D62/60

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:Bestimmen von einer Information, die eine extrinsische Dotierstoffkonzentration (Dext) angibt, und von einer Information, die eine intrinsische Sauerstoffkonzentration (Doi) in einem Halbleiterwafer (100) angibt, undauf der Grundlage der Informationen über die extrinsische Dotierstoffkonzentration (Dext) und die intrinsische Sauerstoffkonzentration (Doi) sowie einer Erzeugungsrate oder einer Dissoziationsrate von sauerstoffkorrelierten thermischen Donatoren in dem Halbleiterwafer (100) Bestimmen eines Prozesstemperaturgradienten (Tproc(t)) zum Erzeugen oder Dissoziieren von sauerstoffkorrelierten thermischen Donatoren, um eine Differenz zwischen einer Zieldotierstoffkonzentration (Dtarg) und der extrinsischen Dotierstoffkonzentration (Dext) zu kompensieren, wobei die extrinsische Dotierstoffkonzentration (Dext) vom n-Dotierungstyp ist, undUnterwerfen des Halbleiterwafers (100) einer Hauptwärmebehandlung, die den Prozesstemperaturgradienten (Tproc(t)) anlegt.

公开(公告)号：DE102015107085A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE102015107085

申请日：2015-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  JELINEK MORIZ ,  STADTMÜLLER MICHAEL ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Bestimmen einer Information, die eine extrinsische Dotierstoffkonzentration (Dext) und eine intrinsische Sauerstoffkonzentration (Doi) in einem Halbleiterwafer (100) angibt. Auf der Grundlage der Information über die extrinsische Dotierstoffkonzentration (Dext) und die intrinsische Sauerstoffkonzentration (Doi) sowie Information über eine Erzeugungsrate oder eine Dissoziationsrate von sauerstoffkorrelierten thermischen Donatoren in dem Halbleiterwafer (100) wird ein Prozesstemperaturgradient (Tproc(t)) bestimmt, um sauerstoffkorrelierte thermische Donatoren zu erzeugen oder zu dissoziieren, um eine Differenz zwischen einer Zieldotierstoffkonzentration (Dtarg) und der extrinsischen Dotierstoffkonzentration (Dext) zu kompensieren.