公开(公告)号：DE102005028951B4

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102005028951

申请日：2005-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LASKA THOMAS ,  STECHER MATTHIAS DR ,  BELLYNCK GREGORY ,  HOSSEINI KHALIL DR ,  MAHLER JOACHIM DR

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/07 ,  H01R4/02 ,  H01R43/02

Abstract: Verbindungsanordnung zwischen einer Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) und einer äusseren Kontakteinrichtung (3), bei der die Unterseite (12) der Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) und die Oberseite (31) der äusseren Kontakteinrichtung (3) gegenüber zueinander vorgesehen sind und eine elektrische Verbindung zwischen einem inneren Kontaktanschluss (4) auf der zur Unterseite gegenüberliegenden Oberseite (11) der Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) und einem äusseren Kontaktanschluss (5) auf der Oberfläche der äusseren Kontakteinrichtung (3) aus einem elektrisch leitenden Draht (6) besteht, wobei auf der Oberfläche mindestens des inneren Kontaktanschlusses (4) und auf der Oberfläche des Drahtes (6) eine zusätzliche metallische Schicht (7, 72) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (7) aus Zn-Keimen (71), einer Ni-Legierungsschicht (72), einer Pd-Schicht (73) und einer Au-Schicht (74) besteht.

公开(公告)号：DE59814102D1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：DE59814102

申请日：1998-08-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOSSNER HARALD DR ,  STECHER MATTHIAS DR

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L23/60 ,  H01L27/06 ,  H01L27/07

Abstract: The integrated circuit is arranged in a semiconductor body (7) with a connection pad (5) linked to the circuit via a connection line (4). Two lines connect to a respective power supply (VSS, VCC) of the circuit. An element, protecting the circuit from electrostatic discharge, is positioned between the pad and the circuit and is connected to at least one power supply. The element consists of an integrated vertical transistor whose load path is positioned between one power supply and a connection line. The base and the collector of the transistor is arranged laterally to each other.

公开(公告)号：DE102008047916B4

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：DE102008047916

申请日：2008-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS DR

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend: • eine Logikschaltung und eine Leistungsschaltung, • eine Metallisierungsschicht aufweisend mindestens eine erste Metallleitung (M1) und eine von der ersten Metallleitung in einem Abstand angeordnete zweite Metallleitung (M2), • wobei die Metallisierungsschicht eine letzte Metallschicht des Halbleiterbauelements ist, • wobei die erste Metallleitung (M1) mit der Logikschaltung verbunden ist und die zweite Metallleitung (M2) mit der Leistungsschaltung verbunden ist, • wobei die erste Metallleitung (M1) eine erste Dicke (T1) aufweist, • wobei die zweite Metallleitung (M2) eine zweite Dicke (T2) größer als die erste Dicke (T1) aufweist, • wobei die erste Metallleitung (M1) einen ersten Abschnitt (260B, 260C) einer ersten Metallschicht (260) aufweist, • wobei die zweite Metallleitung (M2) einen zweiten Abschnitt (260A, 260D) der ersten Metallschicht (260) und einen zumindest teilweise auf dem zweiten Abschnitt (260A, 260D) der ersten Metallschicht (260) ausgebildeten Abschnitt (280A, 280B) einer zweiten Metallschicht (280) aufweist, • wobei die zweite Metallschicht (280) nicht über dem ersten Abschnitt (260B, 260C) der ersten Metallschicht (260) ausgebildet ist, • wobei die Dicke (T280) der zweiten Metallschicht (280) größer ist als die Dicke (T260) der ersten Metallschicht (260), und • wobei die erste Metallschicht (260) und die zweite Metallschicht (280) in zwei getrennten Elektroplattierungsprozessen ausgebildet sind.

公开(公告)号：DE102007015295B4

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102007015295

申请日：2007-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  STECHER MATTHIAS DR

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/336 ,  H01L23/34 ,  H01L23/62 ,  H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement (50) mit Temperatursensor (1), mit folgenden Merkmalen: einem Halbleitersubstrat (10) mit dem Leistungshalbleiterbauelement (50), wobei sich benachbart zu einer Hauptoberfläche (12) des Halbleitersubstrats ein Dissipationsgebiet (14) des Leistungshalbleiterbauelements befindet; einer Doppel-Polysiliziumschicht, die über dem Dissipationsgebiet des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist, mit einer ersten und einer zweiten Polysiliziumschicht (16, 18) und mit einer dazwischen liegenden Isolationsschicht (20) zur galvanischen Trennung derselben, wobei die erste und zweite Polysiliziumschicht und die Isolationsschicht eine Schichtstruktur auf der Hauptoberfläche oberhalb des Dissipationsgebiets bilden, wobei die Schichtstruktur eine Dicke in einem Bereich von 50 bis 500 nm aufweist; und einem Temperatursensorelement (22), das in der zweiten Polysiliziumschicht (18) angeordnet ist, wobei die zweite Polysiliziumschicht (18) Messanschlüsse (34) für das Temperatursensorelement (22) aufweist, wobei das Temperatursensorelement (22) eine temperaturabhängige Charakteristik aufweist und mit dem Dissipationsgebiet thermisch gekoppelt ist, und wobei das Temperatursensorelement (22) ausgebildet ist, um entsprechend seiner temperaturabhängigen Charakteristik auf eine elektrische Anregung...

公开(公告)号：DE102006044691B4

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102006044691

申请日：2006-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL DR ,  STECHER MATTHIAS DR

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Anschlussleitstruktur eines Bauelements (400), umfassend die Schritte: Aufbringen einer ersten Maske (34) auf ein integriertes Bauelement (10), Galvanisieren einer elektrisch leitfahigen ersten Schicht (44), wobei die erste Schicht (44) besteht aus oder enthält Kupfer oder eine Kupferlegierung, Abscheiden einer zweiten Schicht (50, 52) nach dem Galvanisieren, wobei die zweite Schicht (50, 52) besteht aus oder enthält Aluminium oder eine Aluminiumlegierung, oder wobei die zweite Schicht besteht aus oder enthält ein Metall der vierten bis sechsten Nebengruppe, oder wobei die zweite Schicht besteht aus oder enthält ein Metall und Phosphor, Strukturieren der zweiten Schicht (50, 52) mit einer weiteren Maske (54). wobei beim Aufbringen der weiteren Maske (54) die erste Maske (34) noch an dem Bauelement (10) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102008024188B4

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102008024188

申请日：2008-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS DR

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/735

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines lateralen Bipolartransistors, bei dem – voneinander getrennte Gräben (11) an einer Oberseite (10) eines Halbleiterkörpers (1) innerhalb dotierten Halbleitermaterials eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet werden, – ein Dotierstoff in das Halbleitermaterial durch die Gräben (11) eingebracht wird und damit dotierte Bereiche (4, 5) eines entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet werden, wobei die dotierten Bereiche durch einen Bereich des Halbleitermaterials des ersten Leitfähigkeitstyps voneinander getrennt sind, – die Gräben (11) mit elektrisch leitfähigem Material (6, 7) gefüllt werden, und – elektrische Kontakte zu dem elektrisch leitfähigen Material (6, 7) gebildet werden, wobei der Dotierstoff in das Halbleitermaterial eingebracht wird, indem ein dotiertes Material in die Gräben (11) gefüllt wird und eine Diffusion des Dotierstoffs aus dem dotierten Material in das Halbleitermaterial bewirkt wird, und wobei jeweils eine Kontaktfläche der elektrischen Kontakte in einer Ebene mit einer Oberfläche eines Oberflächenbereichs des Halbleiterkörpers (1) liegt, wobei der Oberflächenbereich nur mittels der Diffusion des Dotierstoffs aus dem dotierten Material (6, 7) dotiert ist.