公开(公告)号：DE102016108125A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102016108125

申请日：2016-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDT PHILIP ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRÉ RAINER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  AUER THOMAS ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterkörper (40) auf, der eine erste Seite (101), einen Rand (41), der den Halbleiterkörper (40) in einer zu der ersten Seite (101) parallelen Richtung begrenzt, einen aktiven Bereich (110), einen peripheren Bereich (120), der zwischen dem aktiven Bereich (110) und dem Rand (41) angeordnet ist, ein erstes Halbleitergebiet (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das sich von dem aktiven Bereich (110) in den peripheren Bereich (120) erstreckt, ein zweites Halbleitergebiet (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das einen pn-Übergang (12) mit dem ersten Halbleitergebiet (1) bildet, ein erstes Randabschlussgebiet (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, das an das erste Halbleitergebiet (1) angrenzt und an der ersten Seite (101) und zwischen dem zweiten Halbleitergebiet (2) und dem Rand (41) angeordnet ist, und ein zweites Randabschlussgebiet (5) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an der ersten Seite (101) und zwischen dem ersten Randabschlussgebiet (4) und dem Rand (41) angeordnet ist, auf. Das zweite Randabschlussgebiet (5) weist eine variierende Konzentration von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps auf, die mit zunehmender Entfernung von dem ersten Randabschlussgebiet (4) mindestens neben dem ersten Randabschlussgebiet (4) im Wesentlichen linear zunimmt.