公开(公告)号：DE102015122387A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：DE102015122387

申请日：2015-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  STUTZMANN MARTIN ,  BRANDT MARTIN S

IPC: H01L23/29 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das zumindest eine elektrische Struktur umfasst. Die zumindest eine elektrische Struktur weist eine Sperrspannung von mehr als 20 V auf. Ferner umfasst das Leistungshalbleiterbauelement eine elektrisch isolierende Schichtstruktur, die über zumindest einem Abschnitt einer lateralen Oberfläche des Halbleitersubstrats gebildet ist. Die elektrisch isolierende Schichtstruktur bettet eine oder mehrere lokale Regionen zum Speichern von Ladungsträgern ein. Ferner weisen die eine oder die mehreren lokalen Regionen in zumindest einer Richtung eine Abmessung von weniger als 200 nm auf.