公开(公告)号：DE102015122387A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：DE102015122387

申请日：2015-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  STUTZMANN MARTIN ,  BRANDT MARTIN S

IPC: H01L23/29 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das zumindest eine elektrische Struktur umfasst. Die zumindest eine elektrische Struktur weist eine Sperrspannung von mehr als 20 V auf. Ferner umfasst das Leistungshalbleiterbauelement eine elektrisch isolierende Schichtstruktur, die über zumindest einem Abschnitt einer lateralen Oberfläche des Halbleitersubstrats gebildet ist. Die elektrisch isolierende Schichtstruktur bettet eine oder mehrere lokale Regionen zum Speichern von Ladungsträgern ein. Ferner weisen die eine oder die mehreren lokalen Regionen in zumindest einer Richtung eine Abmessung von weniger als 200 nm auf.

公开(公告)号：DE102015108183A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015108183

申请日：2015-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Verfahren (100) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann folgende Schritte aufweisen: Abscheiden eines ersten Metallisierungsmaterials über einem Halbleiterkörper (102), Ausführen eines Erwärmungsprozesses, um wenigstens ein Gebiet im Halbleiterkörper zu bilden, welches ein Eutektikum des ersten Metallisierungsmaterials und des Materials des Halbleiterkörpers aufweist (104), und Abscheiden eines zweiten Metallisierungsmaterials über der Halbleiterschicht, um die Halbleiterschicht über das wenigstens eine Gebiet in der Halbleiterschicht zu kontaktieren (106).

公开(公告)号：DE102015108183B4

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE102015108183

申请日：2015-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/43

Abstract: Verfahren (100) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung, welches folgende Schritte aufweist:Abscheiden eines ersten Metallisierungsmaterials über einem Halbleiterkörper (102),Ausführen eines Erwärmungsprozesses, um wenigstens ein Gebiet im Halbleiterkörper zu bilden, welches ein Eutektikum des ersten Metallisierungsmaterials und des Materials des Halbleiterkörpers aufweist (104), undAbscheiden eines zweiten Metallisierungsmaterials über der Halbleiterschicht, um die Halbleiterschicht über das wenigstens eine Gebiet in der Halbleiterschicht zu kontaktieren (106), wobei Reste des ersten Metallisierungsmaterials von oberhalb des Halbleiterkörpers entfernt werden, nachdem der Erwärmungsprozess ausgeführt wurde und bevor das zweite Metallisierungsmaterial abgeschieden wird.

公开(公告)号：DE102015101124A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102015101124

申请日：2015-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  HÄRTL ANDREAS ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  LAVEN JOHANNES GEORG

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/26 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit entgegengesetzten ersten und zweiten Seiten (107, 108). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst weiterhin eine Driftzone (114) in dem Halbleiterkörper (105) zwischen der zweiten Seite (108) und einem pn-Übergang. Ein Profil einer Nettodotierung der Driftzone (114) zwischen den ersten und zweiten Seiten (107, 108) ist unduliert bzw. wellenförmig und umfasst Dotierungsspitzenwerte zwischen 1 × 1013 cm–3 und 5 × 1014 cm–3. Eine Vorrichtungssperrspannung Vbr ist definiert durch eine Durchbruchspannung des pn-Übergangs zwischen der Driftzone (114) und einem Halbleiterbereich (112) eines entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, der elektrisch mit der ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102014223315B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1), umfassend eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine eine Driftregion ausbildende zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern; wobei die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet:- eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist;- eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration;- eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123), und wobei sich die Schädigungsregion (122) entlang einer Richtung eines Flusses eines von dem Halbleiterbauelement (1) geführten Laststroms tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Kontaktregion (121), und wobei sich die Übergangsregion (123) tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Schädigungsregion (122).

公开(公告)号：DE102014223315A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1) wird vorgeschlagen. Das Halbleiterbauelement umfasst eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern. Die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist; eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration; eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123).