公开(公告)号：DE102009031157B4

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE102009031157

申请日：2009-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NITSCH ALOIS ,  TILGNER RAINER DR ,  BAUMEISTER HORST

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/14 ,  G01R31/28

Abstract: Verfahren zum Erfassen eines Risses (116) in einem Halbleiterwafer (110), der ein elektrisches Bauelement (112) und eine Verbindungsanschlussfläche (114), die elektrisch mit dem elektrischen Bauelement (112) gekoppelt ist, aufweist, wobei das Verfahren folgenden Schritt aufweist: Erfassen des Risses (116) unter Verwendung eines Akustikdetektors (134'), der akustisch mit dem Halbleiterwafer (110) gekoppelt ist, während des in Kontakt Bringens der Verbindungsanschlussfläche (114) mit einer Sonde (132), und zwar basierend auf einer Erfassung eines akustischen Risssignals, das zu einer Zeit, zu der die Sonde (132) die Verbindungsanschlussfläche (114) kontaktiert, durch den Riss erzeugt wird, wobei der Riss durch eine mechanische Belastung der Sonde auf die Halbleiterstruktur erzeugt wird.