公开(公告)号：DE102009031157B4

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE102009031157

申请日：2009-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NITSCH ALOIS ,  TILGNER RAINER DR ,  BAUMEISTER HORST

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/14 ,  G01R31/28

Abstract: Verfahren zum Erfassen eines Risses (116) in einem Halbleiterwafer (110), der ein elektrisches Bauelement (112) und eine Verbindungsanschlussfläche (114), die elektrisch mit dem elektrischen Bauelement (112) gekoppelt ist, aufweist, wobei das Verfahren folgenden Schritt aufweist: Erfassen des Risses (116) unter Verwendung eines Akustikdetektors (134'), der akustisch mit dem Halbleiterwafer (110) gekoppelt ist, während des in Kontakt Bringens der Verbindungsanschlussfläche (114) mit einer Sonde (132), und zwar basierend auf einer Erfassung eines akustischen Risssignals, das zu einer Zeit, zu der die Sonde (132) die Verbindungsanschlussfläche (114) kontaktiert, durch den Riss erzeugt wird, wobei der Riss durch eine mechanische Belastung der Sonde auf die Halbleiterstruktur erzeugt wird.

公开(公告)号：DE102009030958B4

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：DE102009030958

申请日：2009-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NITSCH ALOIS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065

Abstract: Halbleiteranordnung, umfassend: einen ersten Chip (122) mit einem ersten Kontakt (126); einen zweiten Chip (124; 160) mit einer ersten Isolationsregion (134) und einem zweiten Kontakt (128), der die erste Isolationsregion (134) mindestens teilweise überlappt; und ein erstes Verbindungselement (132), das den zweiten Kontakt (128) mit dem ersten Kontakt (126) koppelt, wobei das erste Verbindungselement (132) durch eine Durchkontaktierung durch die erste Isolationsregion (134) definiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Kontakt (128) in einem Back-End-Of-Line- bzw. BEOL-Stapel (130) enthalten ist, welcher in dem zweiten Chip (124; 160) gebildete aktive Komponenten verbindet.

公开(公告)号：DE102009031157A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102009031157

申请日：2009-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NITSCH ALOIS ,  TILGNER RAINER ,  BAUMEISTER HORST

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Verfahren zum Erfassen eines Risses in einem Halbleiterwafer, der ein elektrisches Bauelement und eine Verbindungsanschlussfläche aufweist, die elektrisch mit dem elektrischen Bauelement gekoppelt ist, ist beschrieben. Der Riss wird durch einen Akustikdetektor erfasst, der akustisch mit dem Halbleiterwafer während des in Kontakt bringens der Kontaktierungsanschlussfläche mit einer Sonde gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102009030958A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：DE102009030958

申请日：2009-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NITSCH ALOIS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: The method involves applying a solution of an organic substance on a chip carrier (2). A polymeric foam is produced by applying of heat on the substance, where the temperature is kept below 200 degree Celsius. The foam is linked by the application of heat on the foam, where the temperature is kept above 200 degree Celsius. A semiconductor chip arranged on the carrier is encapsulated with a synthetic material. An independent claim is also included for a semiconductor device.