公开(公告)号：DE10132231A1

公开(公告)日：2003-01-16

申请号：DE10132231

申请日：2001-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMEISTER HORST ,  GESSNER ROLAND ,  VEUHOFF EBERHARD ,  WENGER GUNDOLF

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H01S5/125

Abstract: The invention relates to a method for fabricating a structure in a semiconductor material. At least one etching step is carried out in-situ in an epitaxy installation and tertiary butyl chloride is used as the etchant. The at least one etching step produces at least one grating structure of a DFB laser. This provides an efficient method for fabricating DFB lasers.

公开(公告)号：DE10127580A1

公开(公告)日：2002-12-05

申请号：DE10127580

申请日：2001-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMEISTER HORST ,  GESSNER ROLAND ,  VEUHOFF EBERHARD ,  WENGER GUNDOLF

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/461 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

Abstract: The invention relates to a masking technique for producing a structure for semiconductor components, in particular BH laser diodes, according to which mask material is applied to a sample in a masking step. The technique is characterised in that the etching rate during an etching step (3) is selected in accordance with the composition and/or the nature of the mask material, so that the mask (40) is at least partially dissolved during the etching step (3). This enables the mask to be removed from the semiconductor material and additional layers to be applied in-situ in a simple manner during the production of semiconductor components.

公开(公告)号：DE10127580B4

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：DE10127580

申请日：2001-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMEISTER HORST ,  GESSNER ROLAND ,  VEUHOFF EBERHARD ,  WENGER GUNDOLF

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/461 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

Abstract: A method produces structures for semiconductor components, particularly BH laser diodes, in which a mask material is applied to a sample in a masking step. The etch rate in an etching step depends upon the composition and/or nature of the mask material. The etch rate is selected in such a way so that the mask is at least partly dissolved during the etching step. It is therefore possible to easily remove the mask from the semiconductor material and apply additional layers in situ during the fabrication of semiconductor components.

公开(公告)号：DE102009031157A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102009031157

申请日：2009-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NITSCH ALOIS ,  TILGNER RAINER ,  BAUMEISTER HORST

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Verfahren zum Erfassen eines Risses in einem Halbleiterwafer, der ein elektrisches Bauelement und eine Verbindungsanschlussfläche aufweist, die elektrisch mit dem elektrischen Bauelement gekoppelt ist, ist beschrieben. Der Riss wird durch einen Akustikdetektor erfasst, der akustisch mit dem Halbleiterwafer während des in Kontakt bringens der Kontaktierungsanschlussfläche mit einer Sonde gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE10132231C2

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：DE10132231

申请日：2001-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMEISTER HORST ,  GESSNER ROLAND ,  VEUHOFF EBERHARD ,  WENGER GUNDOLF

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/20

Abstract: The invention relates to a method for fabricating a structure in a semiconductor material. At least one etching step is carried out in-situ in an epitaxy installation and tertiary butyl chloride is used as the etchant. The at least one etching step produces at least one grating structure of a DFB laser. This provides an efficient method for fabricating DFB lasers.

公开(公告)号：DE102009031157B4

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE102009031157

申请日：2009-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NITSCH ALOIS ,  TILGNER RAINER DR ,  BAUMEISTER HORST

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/14 ,  G01R31/28

Abstract: Verfahren zum Erfassen eines Risses (116) in einem Halbleiterwafer (110), der ein elektrisches Bauelement (112) und eine Verbindungsanschlussfläche (114), die elektrisch mit dem elektrischen Bauelement (112) gekoppelt ist, aufweist, wobei das Verfahren folgenden Schritt aufweist: Erfassen des Risses (116) unter Verwendung eines Akustikdetektors (134'), der akustisch mit dem Halbleiterwafer (110) gekoppelt ist, während des in Kontakt Bringens der Verbindungsanschlussfläche (114) mit einer Sonde (132), und zwar basierend auf einer Erfassung eines akustischen Risssignals, das zu einer Zeit, zu der die Sonde (132) die Verbindungsanschlussfläche (114) kontaktiert, durch den Riss erzeugt wird, wobei der Riss durch eine mechanische Belastung der Sonde auf die Halbleiterstruktur erzeugt wird.

公开(公告)号：DE10152088A1

公开(公告)日：2003-11-06

申请号：DE10152088

申请日：2001-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANZ GUENTHER ,  GAUER DOROTHEA ,  VEUHOFF EBERHARD ,  ZWICKNAGL PETER ,  BAUMEISTER HORST

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/20 ,  H01L29/737

Abstract: Production of a bipolar transistor comprises preparing a substrate (100) having a layer sequence consisting of a sub-collector layer (108, 110), a sub-collector etch-stop layer (112), a collector layer and a base layer, etching the layer sequence to expose a section of the etch stop layer, forming an emitter layer, and forming an emitter contact, a collector contact (134, 136) and a base contact.