公开(公告)号：DE102009007708A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：DE102009007708

申请日：2009-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  FUERGUT EDWARD ,  VERVOORT LOUIS PAUL

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/043

公开(公告)号：DE102009007708B4

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：DE102009007708

申请日：2009-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  FÜRGUT EDWARD ,  VERVOORT LOUIS PAUL

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/043 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen (140), umfassend: Bereitstellen von mindestens zwei Chips (100), die erste Elektroden (107) auf ersten Oberflächen (104) sowie zweite (108) und dritte (109) Elektroden auf gegenüberliegenden zweiten Oberflächen (106) umfassen, die mit den zweiten (108) und dritten (109) Elektroden auf einer metallischen Schicht (102) angeordnet sind; Abscheiden von Formmaterial (110) auf der metallischen Schicht (102) und zwischen den Chips (100); selektives Entfernen eines Abschnitts (120) des Formmaterials (110) von der metallischen Schicht (102), um einen Abschnitt (120) der metallischen Schicht (102) selektiv zu exponieren; Bedecken des selektiv exponierten Abschnitts (120) der metallischen Schicht (102) mit einem leitfähigen Material (130); und Vereinzeln der mindestens zwei Chips (100).