Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses

    公开(公告)号:DE102013104487B4

    公开(公告)日:2022-03-10

    申请号:DE102013104487

    申请日:2013-05-02

    Abstract: Verfahren (100) zum Herstellen eines Chipgehäuses, das Verfahren (100) aufweisend:• Anordnen (110) einer Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) über einem Träger (104), wobei die Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) eine Oberseite (1081, 1082, 1083, 1084, ..., 108n) und dazu gegenüberliegend eine Unterseite (1121, 1122, 1123, 1124, ..., 112n) aufweisen;• Anordnen einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) über dem Träger (104), wobei die Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) eine Oberseite (1181, 1182, 1183, 1184, ..., 118n) und dazu gegenüberliegend eine Unterseite (1221, 1222, 1223, 1224, ..., 122n) aufweisen, wobei mindestens ein Die der Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) an mindestens einen elektrisch leitfähigen Block der Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) angrenzend angeordnet ist;• Abscheiden (120) von Verkapselungsmaterial (107) über dem Träger (104), wobei die Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) und die Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) mittels des Verkapselungsmaterials (107) bedeckt ist, wodurch eine Struktur (124) gebildet wird, die das Verkapselungsmaterial (107), die Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) und die Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) aufweist;• Entfernen (130) von dem Träger (104) gegenüberliegendem Verkapselungsmaterial (107) aufweisend ein Dünnen des Verkapselungsmaterials (107) und eines Bereichs der Dies von einer Seite der Struktur (124), gegenüberliegend den Seiten der über dem Träger (104) angeordneten Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n), wobei zumindest ein Abschnitt der Unterseite (1121, 1122, 1123, 1124, ..., 112n) zumindest eines Dies der Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) und zumindest ein Block der Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) freigelegt wird, wodurch ein gedünnter innerer Bereich der Struktur (124) und ein zusätzlicher äußerer Bereich der Struktur (124), der Verkapselungsmaterial (107) aufweist, dicker als der gedünnte innere Bereich, gebildet werden.

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