Abstract:
The invention relates to a semiconductor component (10) provided with a rewiring substrate (1) in the form of a stack element for a semi-conductor component stack (25, 30, 35, 40). Said rewiring substrate (1) comprises a plastic frame (41) consisting of a first plastic compound (41) and a central area (20) comprising a second plastic compound (46). A semiconductor chip (6) is incorporated into in the second plastic material (46) by the rear (14) and lateral (12) faces thereof, wherein the active face of the semiconductor component (6) is embodied in the form of a surface (3) coplanar with the plastic compounds (42, 46).
Abstract:
The invention relates to a method for the production of through contacts (1), passing through a sheet composite body (2), comprising semiconductor chips (3) and a plastic mass (4). The sheet composite body (2) is placed between two high voltage point electrodes (10, 11) and said electrodes are aligned such that they may be placed in the positions (14) at which through contacts (1) through the plastic mass (4), filled with conducting particles (9), are to be introduced. The through contacts (1) are produced by application of a high voltage to the point electrodes.
Abstract:
The invention relates to a method for separating surface-mountable semiconductor components (1) and for fitting external contact surfaces to said components. According to the invention, semiconductor components are applied to a metal support (4) in rows (5) and columns (6) in corresponding semiconductor component positions (7) of said support (4). A plurality of semiconductor component positions (7) with their respective components are then potted in a plastic housing mass (8), thus producing a composite board (3), which is then separated into individual semiconductor components (1) by laser ablation, said components receiving a laser inscription on their upper faces (13). Said upper faces (13) can then be stuck to an adhesive film, so that it is possible to expose the undersides whilst maintaining the semiconductor component positions (7).
Abstract:
The invention relates to a support (4) with solder globule elements (1), for assembly of substrates (2) with globule contacts. The invention further relates to a unit for assembly of substrates (2) with globule contacts and a method for assembly of substrates (2) with globular contacts. The support (4) comprises an adhesive layer (5) applied to one side thereof, whereby said adhesive layer (5) largely loses the adhesive force thereof on irradiation. The support (4) further comprises solder globule elements (1), tightly packed in rows (6) and columns (7) on the adhesive layer (5) at given separations (w) for a semiconductor chip or a semiconductor component.
Abstract:
A method for the production of a semiconductor element with a plastic housing within which at least one semiconductor chip is arranged, is disclosed. The method comprises the following steps: preparation of a semiconductor wafer with semiconductor chips arranged in rows and columns which have active upper faces and back faces, whereby the active upper faces are provided with contact surfaces, separation of the semiconductor wafer into individual semiconductor chips, preparation of a support plate, provided on the upper face thereof with a thermosensitive adhesive, fitting the individual semiconductor chips on said support plate, whereby the individual semiconductor chips are placed with the active upper face thereof on the upper face of the support plate, production of a common support made from plastic housing mass on the support plate, said semiconductor chips being embedded in the plastic housing mass and removal of the support plate by heating the thermosensitive adhesive to a given defined temperature at which the thermosensitive adhesive loses the adhesive effect thereof.
Abstract:
The invention relates to an electronic component (1) comprising stacked semiconductor chips (3,4) and a panel (23) for producing the component (1). Said stack (2) has a flat conductor structure (8) with a chip island (9) on which a stacked semiconductor chip (4) is arranged, a first semiconductor chip (3) being arranged below the chip island. Said chip island (9) is surrounded by flat conductors (10) comprising contact columns (11). Said contact columns (11) have column contact surfaces (13) which form a coplanar complete upper side (16) together with the active upper side (5) of the first semiconductor chip (3) and upper side regions (14) of a plastic housing mass (15).
Abstract:
The invention relates to a method for producing a chip panel or composite wafer by means of a heating or pressing process, in addition to a device for carrying out said method. A chip carrier plate (2) and a transfer plate (5) are provided in the device in order to carry out said method. Said method comprises in fitting the chip carrier plate (2) with semi-conductor chips (4) and in heating the plates (2, 5). One of the plates remains dimensionally stable while the semi-conductor chips are pressed into the other deformable plate.
Abstract:
Ein Package (100) mit einer ersten Hauptfläche (184) zur Montage eines Kühlkörpers (104) und einer gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (186) zur Montage auf einer Montagebasis (102), wobei das Package (100) einen Träger (106), ein an dem Träger (106) montiertes elektronisches Bauteil (108) und ein Verkapselungsmittel (114), das zumindest einen Teil des elektronischen Bauteils (108) und zumindest einen Teil des Trägers (106) verkapselt, aufweist, wobei elektrisch isolierendes Material (180) elektrisch leitendes Material (182) des Trägers (106) an der ersten Hauptfläche (184) bedeckt, und wobei das Verkapselungsmittel (114) mindestens eine Stufe (130, 132) an der ersten Hauptfläche (184) aufweist.
Abstract:
Verfahren (100) zum Herstellen eines Chipgehäuses, das Verfahren (100) aufweisend:• Anordnen (110) einer Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) über einem Träger (104), wobei die Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) eine Oberseite (1081, 1082, 1083, 1084, ..., 108n) und dazu gegenüberliegend eine Unterseite (1121, 1122, 1123, 1124, ..., 112n) aufweisen;• Anordnen einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) über dem Träger (104), wobei die Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) eine Oberseite (1181, 1182, 1183, 1184, ..., 118n) und dazu gegenüberliegend eine Unterseite (1221, 1222, 1223, 1224, ..., 122n) aufweisen, wobei mindestens ein Die der Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) an mindestens einen elektrisch leitfähigen Block der Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) angrenzend angeordnet ist;• Abscheiden (120) von Verkapselungsmaterial (107) über dem Träger (104), wobei die Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) und die Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) mittels des Verkapselungsmaterials (107) bedeckt ist, wodurch eine Struktur (124) gebildet wird, die das Verkapselungsmaterial (107), die Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) und die Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) aufweist;• Entfernen (130) von dem Träger (104) gegenüberliegendem Verkapselungsmaterial (107) aufweisend ein Dünnen des Verkapselungsmaterials (107) und eines Bereichs der Dies von einer Seite der Struktur (124), gegenüberliegend den Seiten der über dem Träger (104) angeordneten Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n), wobei zumindest ein Abschnitt der Unterseite (1121, 1122, 1123, 1124, ..., 112n) zumindest eines Dies der Mehrzahl von Dies (1021, 1022, 1023, ..., 102n) und zumindest ein Block der Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Blöcken (1061, 1062, 1063, ..., 106n) freigelegt wird, wodurch ein gedünnter innerer Bereich der Struktur (124) und ein zusätzlicher äußerer Bereich der Struktur (124), der Verkapselungsmaterial (107) aufweist, dicker als der gedünnte innere Bereich, gebildet werden.
Abstract:
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Trägers;Anbringen eines ersten Halbleiterelements auf dem Träger;Abscheiden eines B-Zustand härtbaren Polymers auf dem Träger;Vorhärten des Polymers; undAnbringen eines zweiten Halbleiterelements auf dem Polymer;wobei das Abscheiden ein Aufschleudern, ein Tauchbeschichten, eine Drucktechnik, oder ein Dispensieren umfasst; undwobei das Abscheiden des Polymers oder das Vorhärten des Polymers umfasst, dass das Polymer eine Seitenoberfläche des ersten Halbleiterelements kontaktiert.