METHOD AND USE OF A DEVICE FOR APPLYING COATINGS ONTO BAND-SHAPED STRUCTURES DURING THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS
    2.
    发明申请
    METHOD AND USE OF A DEVICE FOR APPLYING COATINGS ONTO BAND-SHAPED STRUCTURES DURING THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS 审中-公开
    方法和装置的用途施用涂料在磁带状结构半导体元件制造

    公开(公告)号:WO2005101458A3

    公开(公告)日:2006-01-19

    申请号:PCT/DE2005000639

    申请日:2005-04-13

    Abstract: The invention relates to a device (35) and a method for applying a thin organic or inorganic layer to individual component positions of band-shaped structures (1). Said layer can result in improved or optimized adhesion between a coated surface and a plastic housing material. In addition, said layer can be used as an anticorrosive layer, electrically insulating layer, or dielectric for the coated surfaces. In order to selectively apply the layer, the inventive device (35) comprises a jet printer (2) with several electronically controlled jet heads (4-7). Said jet printer (2) selectively coats the top face (17) of the band-shaped structures (1) in a first coating position (15) while selectively coating the bottom face (18) thereof in a second coating position (16).

    Abstract translation: 本发明涉及一种装置(35)和用于施加于带状结构(1)的单独的部件的位置的薄的有机或无机层的方法。 该层可提供一被涂覆表面和塑料壳体组合物之间的改进的或优化的粘附性。 此外,层可以作为腐蚀保护层,电绝缘层或作为电介质的涂覆表面。 对于层的选择性施加,该装置(35)具有多个电子可控制的喷墨头(4-7)一个束打印机(2)。 涂在第一涂层位置(15)的束打印机(2),带状结构(1)选择性地在顶部(17)和在第二涂布位置(16)选择性地在带形结构的底部(18)(1)。

    Halbleitervorrichtungen, Bonddraht und Verfahren zur Herstellung eines Bonddrahts

    公开(公告)号:DE102012103157B4

    公开(公告)日:2025-03-27

    申请号:DE102012103157

    申请日:2012-04-12

    Abstract: Halbleitervorrichtung (100), umfassend:einen Halbleiterchip (1);eine Kontaktstelle (2) des Halbleiterchips (1);eine erste Schicht (3), die über der Kontaktstelle (2) liegt, wobei die erste Schicht (3) ein Material umfasst, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Niob und einer Niob und Tantal umfassenden Legierung besteht, wobei ein Volumenprozentwert oder ein Gewichtsprozentwert des einen aus Niob und einer Niob und Tantal umfassenden Legierung in der ersten Schicht (3) größer als 50 Prozent eines Gesamtvolumens oder eines Gesamtgewichts der ersten Schicht (3) ist; undein Anschlusselement (8a, 8b; 15), das elektrisch mit der Kontaktstelle (2) gekoppelt ist, wobei das Anschlusselement einen Bonddraht (8a, 8b) oder einen Clip (15) umfasst, wobei das Anschlusselement in direktem Kontakt mit der Kontaktstelle (2) und/oder der ersten Schicht (3) steht.

    HALBLEITERPAKET UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERPAKETS

    公开(公告)号:DE102015101561B4

    公开(公告)日:2022-11-24

    申请号:DE102015101561

    申请日:2015-02-04

    Inventor: MAHLER JOACHIM

    Abstract: Bauelement, umfassend:ein Halbleiterplättchen (54); undein Verkapselungsmittel (68), welches das Halbleiterplättchen (54) wenigstens teilweise verkapselt, wobei das Verkapselungsmittel (68) ein thermoplastisches Polymer aufweist, welches Metallpartikel aufweist, wobeidas Halbleiterplättchen (54) eine aktive Fläche (56) aufweist, die elektrische Kontakte (62) aufweist, und eine der aktiven Fläche (56) gegenüberliegende Rückseitenfläche (58), die eine Rückseitenmetallisierung (60) aufweist, wobeidas Bauelement ferner ein isolierendes Material (66) aufweist, das Seitenflächen (64) des Halbleiterplättchens (54) isoliert, und einen elektrischen Kontakt (74), der über einer Fläche (70) des Bauelements bereitgestellt ist, welche zu der aktiven Fläche (56) des Halbleiterplättchens (54) koplanar ist, undein Volumenfüllfaktor der Metallpartikel in dem thermoplastischen Polymer so gewählt ist, dass er eine elektrische Leitfähigkeit von mindestens 106S/m und damit eine elektrische Verbindung zwischen der Rückseitenmetallisierung (60) und dem elektrischen Kontakt (74) bereitstellt.

    CHIPGEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINES CHIPGEHÄUSES

    公开(公告)号:DE102016109352B4

    公开(公告)日:2022-03-24

    申请号:DE102016109352

    申请日:2016-05-20

    Abstract: Ein Chipgehäuse, das Folgendes umfasst:einen Chip (106), der eine Chipmetalloberfläche (106m) umfasst,eine Metallkontaktstruktur (110), die die Chipmetalloberfläche (106m) elektrisch kontaktiert,Packagingmaterial (224), das den Chip (106) und die Metallkontaktstruktur (110) mindestens teilweise kapselt, undeine chemische Zusammensetzung (332), die das Packagingmaterial (224) und die Chipmetalloberfläche (106m) und/oder die Metallkontaktstruktur (110) physisch kontaktiert,wobei die chemische Zusammensetzung (332) konfiguriert ist, um eine Haftung zwischen der Metallkontaktstruktur (110) und dem Packagingmaterial (224) und/oder zwischen der Chipmetalloberfläche (106m) und dem Packagingmaterial (224) im Vergleich zu einer Haftung in einer Anordnung ohne die chemische Zusammensetzung (332) zu erhöhen,wobei die chemische Zusammensetzung (332) im Wesentlichen frei von funktionalen Gruppen, die Schwefel, Selen oder Tellur enthalten, ist; undwobei die chemische Zusammensetzung (332) eine bi-funktionale substituierte sterische gehinderte Zusammensetzung umfasst, die Dicyclopentadien, Adamantan, Urotropin, Cyclodextrin und/oder Kryptanden aufweist.

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