公开(公告)号：DE102015114522A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114522

申请日：2015-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOENIG GUIDO ,  OESCHLER NIELS CHRISTIAN ,  WEDI ANDRÉ

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H05K3/34 ,  H05K7/14

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners (2) auf eine Montagefläche (3t) eines zweiten Lötpartners (3). Der erste Lötpartner (2) weist eine Oberseite (2t) und eine der Oberseite (2t) entgegengesetzte Unterseite (2b) auf. Bei dem Verfahren wird ein Lot (5) zwischen der Montagefläche (3t) und der Unterseite (2b) derart angeordnet und aufgeschmolzen, dass zu einem ersten Zeitpunkt der erste Lötpartner (2) an einer ersten Stelle (S1) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (41) anliegt, der erste Lötpartner (2) an einer zweiten Stelle (S2) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (42) anliegt; und eine dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen ersten Abstand (d1) aufweist. Ab einem dem ersten Zeitpunkt folgenden zweiten Zeitpunkt werden der erste Lötpartner (2) und der zweite Lötpartners (3) derart aneinandergepresst, dass die dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen zweiten Abstand (d2) aufweist, der kleiner ist, als der erste Abstand (d1). Während des Aneinanderpressens wird das Lot bis unter seine Solidustemperatur abgekühlt, so dass es eine feste Verbindungsschicht bildet, die sich durchgehend von der Montagefläche (3t) bis zur Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) erstreckt.

公开(公告)号：DE102015114522B4

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：DE102015114522

申请日：2015-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOENIG GUIDO ,  OESCHLER NIELS CHRISTIAN ,  WEDI ANDRÉ

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H05K3/34 ,  H05K7/14

Abstract: Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners (2) auf eine Montagefläche (3t) eines zweiten Lötpartners (3), wobei der erste Lötpartner (2) eine Oberseite (2t) und eine der Oberseite (2t) entgegengesetzte Unterseite (2b) aufweist, und wobei das Verfahren aufweist: Anordnen eines Lots (5) zwischen der Montagefläche (3t) und der Unterseite (2b) und Aufschmelzen des Lots (5) derart, dass zu einem ersten Zeitpunkt – der erste Lötpartner (2) an einer ersten Stelle (S1) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (41) anliegt; – der erste Lötpartner (2) an einer zweiten Stelle (S2) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (42) anliegt; – eine dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen ersten Abstand (d1) aufweist; Aneinanderpressen des ersten Lötpartners (2) und des zweiten Lötpartners (3) derart, dass ab einem dem ersten Zeitpunkt folgenden zweiten Zeitpunkt die dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen zweiten Abstand (d2) aufweist, der kleiner ist, als der erste Abstand (d1) und, während des Aneinanderpressens, Abkühlen des Lotes (5) bis unter seine Solidustemperatur, so dass es eine feste Verbindungsschicht bildet, die sich durchgehend von der Montagefläche (3t) bis zur Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) erstreckt, wobei von dem ersten Lötpartner (2) und dem zweiten Lötpartner (3) einer als Bodenplatte für ein Leistungshalbleitermodul und der andere als Schaltungsträger ausgebildet ist; wobei der erste Abstand (d1) um wenigstens 25 μm größer ist als der zweite Abstand (d2); und wobei der Schaltungsträger (2) vor dem Anordnen des Lots (5) zwischen der Montagefläche (3t) und der Unterseite (2b) oder nachdem das Lot (5) bis unter seine Solidustemperatur abgekühlt wurde, mit einem Halbleiterchip (1) bestückt wird.