公开(公告)号：DE102013219783B4

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：DE102013219783

申请日：2013-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18 ,  H05K5/06

Abstract: Halbleitermodul mit einem Träger (2), wenigstens einem auf dem Träger (2) montierten Halbleiterchip (1), einem Bonddraht (4), einem Modulgehäuse (7), sowie einem ersten Schallabsorber (8), wobei das Modulgehäuse (7) eine Gehäuseseitenwand (71) aufweist; der Bonddraht (4) in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist; und zumindest ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers (8) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Gehäuseseitenwand (71) angeordnet ist; bei dem Sand (6) in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist; der erste Schallabsorber (8) einen mit Gas gefüllten Zwischenraum (81) oder mehrere mit Gas gefüllte Zwischenräume (81) aufweist und zusammen mit sämtlichen mit Gas gefüllten Zwischenräumen (81) einen ersten Raumbereich einnimmt, der ein erstes Volumen (V1) aufweist; der Sand (6) einschließlich darin befindlicher, mit Gas gefüllter Lücken einen zweiten Raumbereich einnimmt, der ein zweites Volumen (V2) aufweist; das Verhältnis (V2 ÷ V1) zwischen dem zweiten Volumen (V2) und dem ersten Volumen (V1) im Bereich von 1 bis 10 liegt.

公开(公告)号：DE102013219783A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102013219783

申请日：2013-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18 ,  H05K5/06

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einem Träger (2), wenigstens einem auf dem Träger (2) montierten Halbleiterchip (1), einem Bonddraht (4), einem Modulgehäuse (7), sowie einem ersten Schallabsorber (8). Das Modulgehäuse (7) weist eine Gehäuseseitenwand (71) auf, der Bonddraht (4) ist in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist, und zumindest ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers (8) ist zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Gehäuseseitenwand (71) angeordnet.

公开(公告)号：DE102015118664A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：DE102015118664

申请日：2015-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  FUERGUT EDWARD ,  GRUBER MARTIN ,  ESCHER-PÖPPEL IRMGARD ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L21/60

Abstract: Zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls wird ein Schaltungsträger (2) mit einem Halbleiterchip (1) und mit einem elektrisch leitenden Kontaktelement (3) bestückt. Nach dem Bestücken werden der Halbleiterchip (1) und das Kontaktelement (3) in eine dielektrische Einbettmasse (4) eingebettet, und das Kontaktelement (3) wird freigelegt. Außerdem wird eine elektrisch leitende Basisschicht (5) erzeugt, die das freigelegte Kontaktelement (3) elektrisch kontaktiert und die auf der Einbettmasse (4) und dem freigelegten Kontaktelement (3) aufliegt. Auf die Basisschicht (5) wird mittels einer elektrisch leitenden Verbindungsschicht (6) eine vorgefertigte Metallfolie (7) aufgebracht.

公开(公告)号：DE102015115312B4

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102015115312

申请日：2015-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  HERBRANDT ALEXANDER ,  DOMES DANIEL

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: Halbleitermodul miteinem ersten Leistungshalbleiterchip (1), einem elektrisch leitenden ersten Kühlkörper (51), und einem elektrisch leitenden ersten Anschlusselement (61), wobeider erste Leistungshalbleiterchip (1) einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) aufweist, sowie eine zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) ausgebildete erste Laststrecke (11-12),der erste Leistungshalbleiterchip (1) auf dem ersten Kühlkörper (51) angeordnet ist, undder erste Kühlkörper (51) elektrisch zwischen die erste Laststrecke (11-12) und das erste Anschlusselement (61) geschaltet ist,einem zweiten Leistungshalbleiterchip (2), einem elektrisch leitenden zweiten Kühlkörper (52), und einem elektrisch leitenden zweiten Anschlusselement (62), wobeider zweite Leistungshalbleiterchip (2) einen ersten Lastanschluss (21) und einen zweiten Lastanschluss (22) aufweist, sowie eine zwischen dem ersten Lastanschluss (21) und dem zweiten Lastanschluss (22) ausgebildete zweite Laststrecke (21-22),der zweite Leistungshalbleiterchip (2) auf dem zweiten Kühlkörper (52) angeordnet ist, undder zweite Kühlkörper (52) elektrisch zwischen die zweite Laststrecke (21-22) und das zweite Anschlusselement (62) geschaltet ist,einer dielektrischen Vergussmasse (210), die sich ausgehend vom ersten Kühlkörper (51) bis über den ersten Halbleiterchip (1) hinaus erstreckt und diesen abdeckt, die sich ausgehend vom zweiten Kühlkörper (52) bis über den zweiten Halbleiterchip (2) hinaus erstreckt und diesen abdeckt;einem elektrisch leitenden Anschlussblock (53), der elektrisch leitend an den zweiten Lastanschluss (22) des zweiten Halbleiterchips (2) angeschlossen ist, wobeider Anschlussblock (53) oder ein Abschnitt des Anschlussblocks (53) zwischen dem ersten Kühlkörper (51) und dem zweiten Kühlkörper (52) angeordnet ist; undzwei dielektrischen ersten Trennwänden (201, 202), die zwischen dem ersten Kühlkörper (51) und dem zweiten Kühlkörper (52) angeordnet sind, wobei der Anschlussblock (53) zwischen den zwei ersten Trennwänden (201, 202) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015114522A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114522

申请日：2015-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOENIG GUIDO ,  OESCHLER NIELS CHRISTIAN ,  WEDI ANDRÉ

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H05K3/34 ,  H05K7/14

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners (2) auf eine Montagefläche (3t) eines zweiten Lötpartners (3). Der erste Lötpartner (2) weist eine Oberseite (2t) und eine der Oberseite (2t) entgegengesetzte Unterseite (2b) auf. Bei dem Verfahren wird ein Lot (5) zwischen der Montagefläche (3t) und der Unterseite (2b) derart angeordnet und aufgeschmolzen, dass zu einem ersten Zeitpunkt der erste Lötpartner (2) an einer ersten Stelle (S1) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (41) anliegt, der erste Lötpartner (2) an einer zweiten Stelle (S2) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (42) anliegt; und eine dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen ersten Abstand (d1) aufweist. Ab einem dem ersten Zeitpunkt folgenden zweiten Zeitpunkt werden der erste Lötpartner (2) und der zweite Lötpartners (3) derart aneinandergepresst, dass die dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen zweiten Abstand (d2) aufweist, der kleiner ist, als der erste Abstand (d1). Während des Aneinanderpressens wird das Lot bis unter seine Solidustemperatur abgekühlt, so dass es eine feste Verbindungsschicht bildet, die sich durchgehend von der Montagefläche (3t) bis zur Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) erstreckt.

公开(公告)号：DE102015115140A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102015115140

申请日：2015-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  HERBRANDT ALEXANDER

IPC: H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Stromrichteranordnung (1) aufweisend: wenigstens ein Halbleiterleitermodul (2, 2'); wenigstens einen elektrischen Kondensator (7); Befestigungsmittel (12, 13) zur mechanisch haltenden und/oder tragenden Befestigung und elektrischen Kontaktierung des wenigstens einen Halbleitermoduls (2, 2') an dem elektrischen Kondensator (7).

公开(公告)号：DE102015115132A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102015115132

申请日：2015-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  HERBRANDT ALEXANDER

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/42 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (1) aufweisend: ein Substrat (3); wenigstens ein auf einer ersten Hauptoberfläche des Substrats (3) aufgebrachtes Halbleiterbauelement (4); ein Träger (2) mit einer Stift- oder Rippenkühlstruktur (7), wobei das Substrat (3) mit seiner der ersten Hauptoberfläche abgewandten zweiten Hauptoberfläche angrenzend an den Träger (2) angeordnet ist; mit einer das Substrat (3) und das wenigstens eine Halbleiterbauelement (4) bedeckenden Verkapselungsschicht (5) auf dem Träger (2); mit mehreren elektrisch leitenden Zuleitungen (6) zur elektrisch leitenden Kontaktierung des wenigstens einen Halbleiterbauelements (4), die die Verkapselungsschicht (5) durchgreifend angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102015115132B4

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102015115132

申请日：2015-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  HERBRANDT ALEXANDER

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/42 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleitermodul (1) aufweisend:ein Substrat (3);wenigstens ein auf einer ersten Hauptoberfläche des Substrats (3) aufgebrachtes Halbleiterbauelement (4);einen Träger (2) mit einer Stift- oder Rippenkühlstruktur (7), wobei das Substrat (3) mit seiner der ersten Hauptoberfläche abgewandten zweiten Hauptoberfläche angrenzend an den Träger (2) angeordnet ist;eine das Substrat (3) und das wenigstens eine Halbleiterbauelement (4) bedeckende Verkapselungsschicht (5) auf dem Träger (2);mehrere elektrisch leitende Zuleitungen (6) zur elektrisch leitenden Kontaktierung des wenigstens einen Halbleiterbauelements (4), die die Verkapselungsschicht (5) durchgreifend angeordnet sind,wobei der Träger (2) auf seiner für die angrenzende Anordnung mit dem Substrat (3) vorgesehenen Seite eine Ausnehmung (8) aufweist, und das Substrat (3), das wenigstens eine Halbleiterbauelement (4) und die wenigstens eine Verkapselungsschicht (5) in der Ausnehmung (8) angeordnet sind,wobei die Verkapselungsschicht (5) bündig mit einem die Ausnehmung (8) umgebenden Rand des Trägers (2) abschließt, um eine Montagefläche für eine Anordnung des Halbleitermoduls (1) auf einer Leiterplatte (13) zu definieren,wobei sich die mehreren elektrisch leitenden Zuleitungen (6) innerhalb der Verkapselungsschicht (5) parallel zueinander und senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche geradlinig erstrecken;wobei die Verkapselungsschicht (5) kraftschlüssig in den Träger (2) eingespannt ist und formschlüssig mit dem Träger (2) verbunden ist,wobei die der thermischen Längsausdehnung folgende Verkürzung des Trägers (2) bei der Herstellung der formschlüssigen Verbindung zwischen dem Träger (2) und der Verkapselungsschicht (5) ausgenutzt ist, um dadurch die kraftschlüssige Einspannung der Verkapselungsschicht (5) und dem Träger (2) zu bewirken,wobei die Verkapselungsschicht (5) aus Epoxydharz mit einem Füllstoffanteil von mehr als 85 Gewichtsprozent aus AlOund/oder SiO besteht.

公开(公告)号：DE102015114522B4

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：DE102015114522

申请日：2015-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOENIG GUIDO ,  OESCHLER NIELS CHRISTIAN ,  WEDI ANDRÉ

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H05K3/34 ,  H05K7/14

Abstract: Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners (2) auf eine Montagefläche (3t) eines zweiten Lötpartners (3), wobei der erste Lötpartner (2) eine Oberseite (2t) und eine der Oberseite (2t) entgegengesetzte Unterseite (2b) aufweist, und wobei das Verfahren aufweist: Anordnen eines Lots (5) zwischen der Montagefläche (3t) und der Unterseite (2b) und Aufschmelzen des Lots (5) derart, dass zu einem ersten Zeitpunkt – der erste Lötpartner (2) an einer ersten Stelle (S1) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (41) anliegt; – der erste Lötpartner (2) an einer zweiten Stelle (S2) der Unterseite (2b) an einem Abstandhalter (42) anliegt; – eine dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen ersten Abstand (d1) aufweist; Aneinanderpressen des ersten Lötpartners (2) und des zweiten Lötpartners (3) derart, dass ab einem dem ersten Zeitpunkt folgenden zweiten Zeitpunkt die dritte Stelle (S3) der Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) von der Montagefläche (3t) einen zweiten Abstand (d2) aufweist, der kleiner ist, als der erste Abstand (d1) und, während des Aneinanderpressens, Abkühlen des Lotes (5) bis unter seine Solidustemperatur, so dass es eine feste Verbindungsschicht bildet, die sich durchgehend von der Montagefläche (3t) bis zur Unterseite (2b) des ersten Lötpartners (2) erstreckt, wobei von dem ersten Lötpartner (2) und dem zweiten Lötpartner (3) einer als Bodenplatte für ein Leistungshalbleitermodul und der andere als Schaltungsträger ausgebildet ist; wobei der erste Abstand (d1) um wenigstens 25 μm größer ist als der zweite Abstand (d2); und wobei der Schaltungsträger (2) vor dem Anordnen des Lots (5) zwischen der Montagefläche (3t) und der Unterseite (2b) oder nachdem das Lot (5) bis unter seine Solidustemperatur abgekühlt wurde, mit einem Halbleiterchip (1) bestückt wird.

公开(公告)号：DE102015115312A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：DE102015115312

申请日：2015-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  HERBRANDT ALEXANDER ,  DOMES DANIEL

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einem ersten Leistungshalbleiterchip (1), einem elektrisch leitenden ersten Kühlkörper (51), und einem elektrisch leitenden ersten Anschlusselement (61). Der erste Leistungshalbleiterchip (1) weist einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12), sowie eine zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) ausgebildete erste Laststrecke (11–12). Der erste Leistungshalbleiterchip (1) ist auf dem ersten Kühlkörper (51) angeordnet, und der erste Kühlkörper (51) ist elektrisch zwischen die erste Laststrecke (11–12) und das erste Anschlusselement (61) geschaltet.