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公开(公告)号:DE102009060072B4
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:DE102009060072
申请日:2009-12-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: WOOD ANDREW DR , ZELSACHER RUDOLF , ZUNDEL MARKUS DR
IPC: H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/08
Abstract: Halbleiterbauelement mit zumindest einem Feldeffekttransistor entlang eines Grabens (10) in einem Halbleiterkörper (11), wobei der zumindest eine Feldeffekttransistor aufweist: – ein Sourcegebiet (12) von einem ersten Leitungstyp, – ein Draingebiet (13) von einem ersten Leitungstyp und – ein Bodygebiet (14) von einem zweiten Leitungstyp zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Draingebiet 13 in dem Halbleiterkörper (11), – eine Gateelektrode in dem Graben (10) entlang des Bodygebiets (14), die durch ein Gatedielektrikum (16) getrennt gegenüber dem Bodygebiet (14) angeordnet ist, – zumindest ein lokal begrenztes Dotierstoffgebiet (17) von einem ersten Leitungstyp in dem Halbleiterkörper (11), das sich von bzw. über einen pn-Übergang 18 zwischen dem Source-/Bodygebiet (12, 14) oder zwischen dem Drain-/Bodygebiet (13, 14) erstreckt und ein Teil des Dotierstoffgebiets (17) in dem Bodygebiet (14) gegenüber einem Teil der Gateelektrode (15) liegt, sodass eine Lücke L im Bodygebiet (14) zwischen dem pn-Übergang 18 und der Gateelektrode (15) durch das Dotierstoffgebiet (17) überbrückt wird.
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公开(公告)号:DE102009060072A1
公开(公告)日:2011-06-30
申请号:DE102009060072
申请日:2009-12-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: WOOD ANDREW DR , ZELSACHER RUDOLF , ZUNDEL MARKUS DR
IPC: H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: Ein Halbleiterbauelement mit zumindest einem Feldeffekttransistor entlang eines Grabens in einem Halbleiterkörper weist zumindest ein lokal begrenztes Dotierstoffgebiet in dem Halbleiterkörper auf, das sich von bzw. über einen pn-Übergang zwischen dem Source – Bodygebiet oder zwischen dem Drain – Bodygebiet des Feldeffekttransistors in das Bodygebiet bis zur Gateelektrode erstreckt, sodass eine Lücke zwischen dem pn-Übergang und der Gateelektrode im Bodygebiet überbrückt wird.
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