公开(公告)号：DE102010000269B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102010000269

申请日：2010-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUDOCK FRANK ,  MEYER THORSTEN ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: Halbleiter-Package-on-Package-Stapel (140), aufweisend:ein Basis-Halbleiter-Package (40) aufweisend- einen Halbleiterchip (42) aufweisend eine Durchverbindung (44), die sich zwischen einer ersten (50) und einer gegenüberliegenden zweiten (52) Hauptfläche des Halbleiterchips (42) erstreckt,- einen zusammenhängenden Kapselungskörper (26, 46) aufweisend eine Oberfläche, der den Halbleiterchip (42) auf der ersten Hauptfläche kapselt,- eine auf einer ersten Oberfläche des Basis-Halbleiter-Package (40) über dem Kapselungskörper (26, 46) angeordnete und mit der Durchverbindung (44) verbundene erste Metallschicht (48), und- eine auf einer zweiten Oberfläche des Basis-Halbleiter-Package (40) gegenüber der ersten Oberfläche über dem Kapselungskörper (26, 46) angeordnete und mit der Durchverbindung (44) verbundene zweite Metallschicht (60), wobei die zweite Metallschicht (60) für eine elektrische Verbindung mit einer Leiterplatte konfiguriert ist, und wobei die Oberfläche des Kapselungskörpers (26, 46) und die zweite Hauptfläche (52) des Halbleiterchips (42) koplanar sind; undein zweites Halbleiter-Package (144), das elektrisch an die erste Metallschicht (48) angeschlossen ist, wobei mindestens eine der ersten und zweiten Oberfläche des Basis-Halbleiter-Package (40) eine Dielektrikumsschicht (56a, 56b) aufweist und mindestens eine der ersten und zweiten Metallschicht (48, 60) in der Dielektrikumsschicht (56a, 56b) strukturiert ist.

公开(公告)号：DE102010000269A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：DE102010000269

申请日：2010-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUDOCK FRANK ,  MEYER THORSTEN ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Halbleiter-Bauelement enthält: einen Halbleiterchip, der eine Durchverbindung umfasst, die sich zwischen einer ersten Hauptfläche des Halbleiterchips und einer zweiten Hauptfläche des Halbleiterchips gegenüber der ersten Hauptfläche erstreckt, Kapselungsmaterial, das den Halbleiterchip mindestens teilweise kapselt, und eine erste Metallschicht, die über dem Kapselungsmaterial angeordnet und mit der Durchverbindung verbunden ist.