公开(公告)号：JP2007093561A

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：JP2005287158

申请日：2005-09-30

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テヒノロギーズ アーゲーInfineon TechnologiesAG

Inventor： WOLTER ANDREAS ,  FRANKOWSKY GERD

IPC: G01R1/073 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R1/0483 ,  G01R3/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stable and simple contact mechanism for preventing tip trace from deforming or being peeled off from elastic protrusion, after the tip trace contacts a specimen in a contacting apparatus. SOLUTION: A carrier substrate, having at least one contact pad on a main face, is prepared. At least one elastic protrusion is formed on the main face, and has an upper face at a height substantially constant relative to the main face. The width of the upper face is significantly larger than the contact pad. A conductive structure is formed that connects at least one contact pad to the upper face of at least one protrusion. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种稳定和简单的接触机构，用于防止尖端迹线变形或从弹性突起剥离，在尖端迹线在接触装置中接触样品之后。 解决方案：准备在主面上具有至少一个接触垫的载体衬底。 至少一个弹性突起形成在主面上，并且具有相对于主面大致恒定的上表面。 上表面的宽度明显大于接触垫。 形成将至少一个接触垫连接到至少一个突起的上表面的导电结构。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102010000269B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102010000269

申请日：2010-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUDOCK FRANK ,  MEYER THORSTEN ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: Halbleiter-Package-on-Package-Stapel (140), aufweisend:ein Basis-Halbleiter-Package (40) aufweisend- einen Halbleiterchip (42) aufweisend eine Durchverbindung (44), die sich zwischen einer ersten (50) und einer gegenüberliegenden zweiten (52) Hauptfläche des Halbleiterchips (42) erstreckt,- einen zusammenhängenden Kapselungskörper (26, 46) aufweisend eine Oberfläche, der den Halbleiterchip (42) auf der ersten Hauptfläche kapselt,- eine auf einer ersten Oberfläche des Basis-Halbleiter-Package (40) über dem Kapselungskörper (26, 46) angeordnete und mit der Durchverbindung (44) verbundene erste Metallschicht (48), und- eine auf einer zweiten Oberfläche des Basis-Halbleiter-Package (40) gegenüber der ersten Oberfläche über dem Kapselungskörper (26, 46) angeordnete und mit der Durchverbindung (44) verbundene zweite Metallschicht (60), wobei die zweite Metallschicht (60) für eine elektrische Verbindung mit einer Leiterplatte konfiguriert ist, und wobei die Oberfläche des Kapselungskörpers (26, 46) und die zweite Hauptfläche (52) des Halbleiterchips (42) koplanar sind; undein zweites Halbleiter-Package (144), das elektrisch an die erste Metallschicht (48) angeschlossen ist, wobei mindestens eine der ersten und zweiten Oberfläche des Basis-Halbleiter-Package (40) eine Dielektrikumsschicht (56a, 56b) aufweist und mindestens eine der ersten und zweiten Metallschicht (48, 60) in der Dielektrikumsschicht (56a, 56b) strukturiert ist.

公开(公告)号：DE102010000269A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：DE102010000269

申请日：2010-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUDOCK FRANK ,  MEYER THORSTEN ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Halbleiter-Bauelement enthält: einen Halbleiterchip, der eine Durchverbindung umfasst, die sich zwischen einer ersten Hauptfläche des Halbleiterchips und einer zweiten Hauptfläche des Halbleiterchips gegenüber der ersten Hauptfläche erstreckt, Kapselungsmaterial, das den Halbleiterchip mindestens teilweise kapselt, und eine erste Metallschicht, die über dem Kapselungsmaterial angeordnet und mit der Durchverbindung verbunden ist.

公开(公告)号：DE102004030140B3

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：DE102004030140

申请日：2004-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOLTER ANDREAS ,  HEDLER HARRY ,  IRSIGLER ROLAND ,  MEYER TORSTEN

IPC: G01R1/067 ,  G01R1/073 ,  H01L21/58 ,  H01L21/66 ,  H01L23/50 ,  H01R12/00 ,  H05K3/32 ,  H05K3/40

Abstract: The present invention relates to an elastic contact-connecting device. An elastic elevation 3 is applied to a carrier area 2 of a carrier 1 . The elastic elevation 3 has a first oblique area 4 , a second ramp 5 and a roof area 6 . The first oblique area 4 has a lesser inclination ( 30 ) with regard to the carrier area 2 than the second oblique area 5 . A contact region 20 is applied to the roof area 6 of the elastic elevation. The contact region 20 is connected to other structures 12 on the carrier 1 via a conductor track 10 . For this purpose, the conductor track 10 is guided over the first oblique area 4 . If a mating contact is pressed onto the contact region 20 , the elastic elevation yields, but presses against the mating contact on account of its elastic property and thus enables a reliable contact. In this case, essentially only the second oblique area 5 is deformed; the first oblique area 4 and the conductor track 10 applied thereto are not subjected to any mechanical stress.

公开(公告)号：DE102011053161B4

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：DE102011053161

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ORT THOMAS ,  PRESSEL KLAUS ,  WAIDHAS BERND ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:mindestens einen Halbleiterchip (104, 106, 202, 306, 308);mindestens eine Leitungsführungsebene (108, 208, 310) mit einer Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904), die voneinander beabstandet parallel zueinander verlaufen;eine erste Isolationsschicht (326), die über dem mindestens einen Halbleiterchip und der mindestens einen Leitungsführungsebene (108, 208, 310) angeordnet ist; undeine Umverteilungsschicht (234, 334), die über der ersten Isolationsschicht (326) angeordnet ist und folgendes aufweist:eine erste Verbindungsleitung (218), die mit einer der Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904) und dem mindestens einen Halbleiterchip (104, 202, 306) elektrisch gekoppelt ist; undeine zweite Verbindungsleitung (220), die mit der einen der Mehrzahl von Leitungsführungsleitungen (110, 210, 312, 504, 904) und mit einem zweiten Halbleiterchip (106, 308) oder mit einem ersten externen Kontaktelement (214) elektrisch gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102011053161A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011053161

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ORT THOMAS ,  PRESSEL KLAUS ,  WAIDHAS BERND ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Führen von elektrischen Verbindungen von mehreren Chips offenbart. In einer Ausführungsform wird eine Halbleitervorrichtung mit mindestens einem Halbleiterchip, mindestens einer Leitungsführungsebene mit mindestens einer Leitungsführungsleitung und mindestens einer Verbindungsleitung, die mit der mindestens einen Leitungsführungsleitung und dem mindestens einen Halbleiterchip elektrisch gekoppelt ist, geschaffen.

公开(公告)号：DE102004015597A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：DE102004015597

申请日：2004-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  HEDLER HARRY ,  IRSIGLER ROLAND ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498

Abstract: Semiconductor system comprises a substrate (10) with a contact pad (11) which is connected by conductors (12) to connectors, e.g. solder beads (13). The system is encapsulated (14) on at least five sides and a mechanical decoupling system (15) is mounted between the encapsulation and the semiconductor. An independent claim is included for a method for making the semiconductor system.