公开(公告)号：WO0184237A3

公开(公告)日：2002-06-27

申请号：PCT/US0111318

申请日：2001-04-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES CORP

Inventor： BUTT SHAHID ,  HAFFNER HENNING ,  FRANKOWSKY BEATE

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/14

CPC classification number: G03F1/68 ,  G03F1/36 ,  G03F1/44 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/887

Abstract: A method of fabricating a semiconductor device is outlined in Figure 3. An ideal (or desired) pattern of a layer of the semiconductor device is designed (305). A first pass corrected pattern is then derived by correcting the ideal patterns for major effects, e.g., aerial image effects (315, 320). A second pass corrected pattern is then derived by correcting the first pass corrected patterns for remaining errors (340). The second pass corrected pattern can be used to build a photomask (345). The photomask can then be used to produce a semiconductor device, such a memory chip or logic chip (350).

Abstract translation: 制造半导体器件的方法在图3中概述。设计半导体器件层的理想（或期望的）图案（305）。 然后通过校正主要效果（例如，空中影像效果）的理想图案（315,320）来导出第一通过校正图案。 然后通过校正用于剩余错误的第一通过校正图案来导出第二遍校正图案（340）。 第二遍校正图案可用于构建光掩模（345）。 然后可以使用光掩模来制造半导体器件，诸如存储芯片或逻辑芯片（350）。