公开(公告)号：WO0225730A3

公开(公告)日：2002-10-24

申请号：PCT/US0142263

申请日：2001-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES CORP ,  IBM

Inventor： KUNKEL GERHARD ,  BUTT SHAHID ,  DIVAKARUNI RAMACHANDRAN ,  REITH ARMIN M ,  NAEEM MUNIR D

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L27/1087 ,  H01L27/10891

Abstract: A method of forming a trench can be used in the fabrication of dynamic random access memory (DRAM) cells. In one aspect, a first layer of a first material (e.g., polysilicon) (104) is formed over a semiconductor region (e.g., a silicon substrate) (100). The first layer is patterned to remove portions of the first material. A second material (e.g., oxide) (112, 120) can then be deposited to fill the portions where the first material was removed. After removing the remaining portions of the first layer of first material, a trench (122) can be etched in the semiconductor region. The trench would be substantially aligned to the second material.

Abstract translation: 可以在制造动态随机存取存储器（DRAM）单元中使用形成沟槽的方法。 在一个方面，第一材料（例如，多晶硅）（104）的第一层形成在半导体区域（例如，硅衬底）（100）之上。 第一层被图案化以去除第一材料的一部分。 然后可以沉积第二材料（例如氧化物）（112,120）以填充第一材料被去除的部分。 在去除第一层第一材料的剩余部分之后，可以在半导体区中蚀刻沟槽（122）。 沟槽将基本上与第二材料对齐。

公开(公告)号：WO0225730A8

公开(公告)日：2002-12-27

申请号：PCT/US0142263

申请日：2001-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES CORP ,  IBM

Inventor： KUNKEL GERHARD ,  BUTT SHAHID ,  DIVAKARUNI RAMACHANDRAN ,  REITH ARMIN M ,  NAEEM MUNIR D

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L27/1087 ,  H01L27/10891

Abstract: A method of forming a trench can be used in the fabrication of dynamic random access memory (DRAM) cells. In one aspect, a first layer of a first material (e.g., polysilicon) (104) is formed over a semiconductor region (e.g., a silicon substrate) (100). The first layer is patterned to remove portions of the first material. A second material (e.g., oxide) (112, 120) can then be deposited to fill the portions where the first material was removed. After removing the remaining portions of the first layer of first material, a trench (122) can be etched in the semiconductor region. The trench would be substantially aligned to the second material.

Abstract translation: 形成沟槽的方法可用于制造动态随机存取存储器（DRAM）单元。 在一个方面，在半导体区域（例如，硅衬底）（100）上形成第一材料（例如，多晶硅）（104）的第一层。 图案化第一层以去除第一材料的部分。 然后可以沉积第二材料（例如氧化物）（112,120）以填充去除第一材料的部分。 在去除第一材料的第一层的剩余部分之后，可以在半导体区域中蚀刻沟槽（122）。 沟槽将基本上对准第二材料。