Abstract:
Disclosed is a memory controller coupled to the memory sub-system of a computing device via an interface. The controller monitors the operation of the memory and compares the operation of the memory to a plurality of performance threshold values. The controller then modifies the operating voltage and/or frequency of the memory based on the result of the comparison. The controller may also modify the memory powerdown policy and the memory prefetch policy. The voltage and/or frequency may be modified based on the latency sensitivity of the executing application. The host computing device may run an operating system that provides feedback to the controller to modify the performance thresholds. The monitored characteristics may be the amount of time that the processor is stall by the memory or the memory bandwidth utilisation.
Abstract:
A memory controller uses a scheme to retire two entries from a replay queue due to a single non-error response. Advantageously, entries in a replay queue may be retired earlier than conventional systems, minimizing the size of the replay queue.
Abstract:
A memory controller uses a scheme to retire two entries from a replay queue due to a single non-error response. Advantageously, entries in a replay queue may be retired earlier than conventional systems, minimizing the size of the replay queue.
Abstract:
Ein Speichercontroller verwendet ein Schema zum Entfernen von wenigstens zwei Einträgen aus einer Rückspielschlange in Antwort auf eine einzige Nicht-Fehler-Antwort. In vorteilhafter Weise können die Einträge n einer Rückspielschlange früher als bei üblichen Systemen entfernt werden, was die Größe der Rückspielschlange minimiert.
Abstract:
Described herein are techniques for dynamic memory frequency/voltage scaling to augment existing memory power management techniques and further improve memory power efficiency. Each operating point is defined as an operational state for the memory.
Abstract:
Verfahren zum Betreiben einer Taktschaltung (314, 410), die mit einem Speichercontroller (305) und einer Speichereinheit (390) gekoppelt ist, wobei der Speichercontroller (305) erste Eingabetakte für die Taktschaltung (314, 410) bereitstellt und die Taktschaltung (314, 410) zweite Eingabetakte für die Speichereinheit (390) bereitstellt, wobei das Verfahren umfasst: als Antwort auf Empfangen eines Befehlssignals zum Versetzen der Taktschaltung (314, 410) in einen ersten Modus Auswählen der ersten Eingabetakte als die zweiten Eingabetakte und Deaktivieren der Taktschaltung (314, 410); und als Antwort auf Empfangen eines Befehlssignals zum Versetzen der Taktschaltung (314, 410) in einen zweiten Modus Aktivieren der Taktschaltung (314, 410) und, bei Bestimmen, dass die Taktschaltung (314, 410) eingerastet ist, Auswählen der Ausgangstakte der Taktschaltung (314, 410) als die zweiten Eingabetakte.
Abstract:
Es werden eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Optimierung von Latenz und Leistung einer Verbindungsstrecke offenbart, die innerhalb eines Systems auf Prozessorbasis arbeitet. Die Vorrichtung und das Verfahren enthalten ein Latenzmessinstrument, das in eine Warteschlange eingebaut ist, die nicht auf einem Warteschlangentiefenschwellenwert beruht. Die Vorrichtung und das Verfahren enthalten auch eine Rückmeldungslogik, die eine Leistungsreduktion um einen steigenden Latenzsollwert optimiert, um auf ein schwerfälliges Wiederversorgungsverhalten zu reagieren, das die physischen Eigenschaften der Verbindungsstrecke bedingen.
Abstract:
Hierin beschrieben sind Techniken zum dynamischen Skalieren von Speicherfrequenz/-spannung, um bestehende Speicherenergiemanagement-Techniken zu verbessern, und um weiter Speicherenergieeffizienz zu verbessern. Jeder Betriebspunkt wird als ein Betriebszustand für den Speicher definiert.
Abstract:
The registered memory module allows asynchronous read and write operations when a PLL clock circuit in the registered memory module is being activated from a disabled status. When the PLL clock circuit is being activated it is bypassed using a logic circuit. After the PLL clock circuit is fully operational the bypass circuit is switched off and the memory module is operated in the synchronous mode. The registered memory module allows enabling or disabling of its clock circuit without any interruption of its operation other than changing to asynchronous mode thus preventing memory "black-outs" whilst the PLL circuit is activated. When the clock circuit in the registered memory module is disabled, the power consumption of the registered memory module can be reduced. The registered memory module is also allowed to enter or exit an asynchronous operation mode without entering or exiting a self-refresh or pre-charge power down operation mode of the registered memory module.