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公开(公告)号:DE102020131263A1
公开(公告)日:2021-08-19
申请号:DE102020131263
申请日:2020-11-25
Applicant: INTEL CORP
Inventor: BERTRAND WESTON , ARRINGTON KYLE , DEVASENATHIPATHY SHANKAR , MCCANN AARON , NEAL NICHOLAS , WAN ZHIMIN
IPC: H01L25/065 , H01L21/58 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/36 , H01L23/50 , H01L23/52 , H01L23/538
Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können allgemein Systeme, Einrichtungen, Techniken und/oder Prozesse betreffen, die auf Gehäuse ausgerichtet sind, die gestapelte Dies beinhalten, die Wärmeleitfähigkeitsmerkmale verwenden, einschließlich mit einem wärmeleitfähigen Material gefüllter wärmeleitfähiger Siliciumdurchkontaktierungen (TSVs), die sich in passiven Bereichen eines ersten Die befinden, um Wärme von einem ersten Die von einem zweiten Die weg zu führen, der mit dem ersten Die gekoppelt ist. Bei Ausführungsformen kann der erste Die als ein Basis-Die bezeichnet werden. Ausführungsformen können thermische Blöcke in der Form von Dummy-Dies beinhalten, die TSVs beinhalten, die wenigstens teilweise mit einem wärmeenergieleitenden Material, wie etwa Kupfer, Lot oder einer anderen Legierung, gefüllt sind.
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公开(公告)号:DE102022105925A1
公开(公告)日:2022-12-29
申请号:DE102022105925
申请日:2022-03-14
Applicant: INTEL CORP
Inventor: HAN DONG-HO , LEE JAEJIN , PETERSON JERROD , ARRINGTON KYLE
IPC: H01L23/552 , H01L23/043 , H01L23/36 , H01L23/50
Abstract: Es werden Verfahren und Einrichtungen zum Bereitstellen einer elektrischen Abschirmung für Integrierter-Schaltkreis-Gehäuse unter Verwendung eines Wärmeschnittstellenmaterials offenbart. Ein Integrierter-Schaltkreis-Gehäuse beinhaltet Folgendes: ein Substrat, das eine Masseebenenschicht und eine Lötmaske beinhaltet; einen Halbleiter-Die, der an dem Substrat angebracht ist, wobei die Lötmaskenschicht den Halbleiter-Die von der Masseebenenschicht separiert; und ein Wärmeschnittstellenmaterial, das wenigstens einen Teil des Halbleiter-Die umgibt, wobei das Wärmeschnittstellenmaterial elektrisch mit der Masseebenenschicht gekoppelt ist.
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