公开(公告)号：DE112013000341T5

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE112013000341

申请日：2013-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HSU HAO-HAN ,  MAHAMEED RASHED ,  ABDELMONEUM MOHAMED A ,  HAN DONG-HO

IPC: H01P1/10 ,  B81B7/00

Abstract: Verfahren und Systeme können einen hybriden MEMS-HF-Komponentenaufbau bereitstellen, der eine elektrostatische Betätigung und eine piezoelektrische Betätigung umfasst. In einem Beispiel kann das Verfahren ein Anlegen einer ersten Spannung zum Erzeugen einer ersten piezoelektrischen Kraft, um einen ersten Spalt zwischen einem Ausleger und einer Betätigungselektrode zu verringern, und Anlegen einer zweiten Spannung zum Erzeugen einer elektrostatischen Kraft umfassen, um Kontakt zwischen dem Ausleger und einer Übertragungselektrode herzustellen.

公开(公告)号：GB2514694A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：GB201411220

申请日：2013-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HSU HAO-HAN ,  MAHAMEED RASHED ,  ABDELMONEUM MOHAMED A ,  HAN DONG-HO

IPC: H01H1/00 ,  H01H59/00 ,  H01P1/10

Abstract: Methods and systems may provide for a hybrid RF MEMS component design including an electrostatic actuation and a piezoelectric actuation. In one example, the method may include applying a first voltage to generate a first piezoelectric force to reduce a first gap between a cantilever and an actuation electrode, and applying a second voltage to generate an electrostatic force to create contact between the cantilever and a transmission electrode.

公开(公告)号：DE102019101262A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102019101262

申请日：2019-01-18

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LI XIANG ,  LEE JAEJIN ,  LIAO JUN ,  HSU HAO-HAN ,  VERGIS GEORGE ,  LING YUN ,  HAN DONG-HO ,  CHU YUNHUI

IPC: H01R13/6581 ,  H01R12/71 ,  H01R12/73

Abstract: Ein abgeschirmtes SODIMM-System zum Reduzieren von HF-Emissionen eines SODIMM-Verbinders ist hier offenbart. SODIMM-Verbinder-RFI stört derzeit eine Konnektivität und ist auch ein Hindernis für Speicheranwendungen mit höherer Geschwindigkeit. Das abgeschirmte SODIMM-System beinhaltet einen SODIMM-Verbinder, der durch eine SODIMM-Verbinderabschirmung wenigstens teilweise aufgenommen ist, um HF-Emissionen von dem SODIMM-Verbinder teilweise und/oder erheblich zu reduzieren oder zu blockieren. Die SODIMM-Verbinderabschirmung ist wenigstens teilweise leitfähig und ist mit Landing-Pads auf einer Oberfläche einer Hauptplatine-Leiterplatte („PCB“) verbunden. Die Landing-Pads der Hauptplatine-PCB, die mit der SODIMM-Verbinderabschirmung gekoppelt sind, sind mit Masse verbunden, was die SODIMM-Verbinderabschirmung mit Masse verbindet. Das Verbinden der SODIMM-Verbinderabschirmung, die den SODIMM-Verbinder wenigstens teilweise aufnimmt, mit Masse reduziert HF-Emissionen von dem SODIMM-Verbinder während Informationstransferoperationen.

公开(公告)号：DE102022105925A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022105925

申请日：2022-03-14

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HAN DONG-HO ,  LEE JAEJIN ,  PETERSON JERROD ,  ARRINGTON KYLE

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/043 ,  H01L23/36 ,  H01L23/50

Abstract: Es werden Verfahren und Einrichtungen zum Bereitstellen einer elektrischen Abschirmung für Integrierter-Schaltkreis-Gehäuse unter Verwendung eines Wärmeschnittstellenmaterials offenbart. Ein Integrierter-Schaltkreis-Gehäuse beinhaltet Folgendes: ein Substrat, das eine Masseebenenschicht und eine Lötmaske beinhaltet; einen Halbleiter-Die, der an dem Substrat angebracht ist, wobei die Lötmaskenschicht den Halbleiter-Die von der Masseebenenschicht separiert; und ein Wärmeschnittstellenmaterial, das wenigstens einen Teil des Halbleiter-Die umgibt, wobei das Wärmeschnittstellenmaterial elektrisch mit der Masseebenenschicht gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE112013000341B4

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：DE112013000341

申请日：2013-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HSU HAO-HAN ,  MAHAMEED RASHED ,  ABDELMONEUM MOHAMED A ,  HAN DONG-HO

IPC: H01P1/10 ,  B81B7/00 ,  H01H1/00 ,  H01H57/00

Abstract: Vorrichtung (100; 400), die umfasst:eine Betätigungselektrode (102; 405); undeinen Ausleger (101), der aufweist:eine obere Elektrodenschicht (103; 401);eine piezoelektrische Schicht (104; 402), die unter der oberen Elektrodenschicht (103) angeordnet und an dieser befestigt ist; undeine untere Elektrodenschicht (105; 403), die unter der piezoelektrischen Schicht (104) angeordnet und an dieser befestigt ist, wobei sich ein Vorsprung (106; 404) von der unteren Elektrodenschicht (105) erstreckt, um einen Spalt (104; 408) zwischen dem Vorsprung (106; 404) und einer Übertragungselektrode (109; 408) zu bilden,wobei der Ausleger (101) bei Anlegen einer ersten Spannung durch eine erste piezoelektrische Kraft verformt wird, um den Spalt (107; 408) zwischen der unteren Elektrodenschicht (105; 403) und der Betätigungselektrode (102; 405) zu verringern, und wobei die untere Elektrodenschicht (105; 403) konfiguriert ist, die Betätigungselektrode (102; 405) bei Anlegen einer zweiten Spannung zwischen der unteren Elektrodenschicht (105; 403) und der Betätigungselektrode (102; 405) durch eine elektrostatische Kraft zu kontaktieren und der Ausleger bei Anlegen der zweiten Spannung verformt wird, um den Ausleger so zu verbiegen, dass er den Spalt zwischen dem Vorsprung (106; 404) und der Übertragungselektrode (109; 407) zum Übertragen eines HF-Signals entlang des Auslegers auf die Übertragungselektrode (109; 407) schließt.