公开(公告)号：DE112013007697B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE112013007697

申请日：2013-12-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： VINCENT BENJAMIN ,  FESHALI AVI

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/16 ,  H01L31/18

Abstract: Halbleiterbauelement, umfassend:ein Gebiet aus monokristallinem Silizium (110) mit einer Verjüngungsstruktur (120) zum Empfangen von Licht;ein erstes vergrabenes Oxidgebiet (130), das mit einer ersten Seite an die Verjüngungsstruktur (120) angrenzt, wobei das erste vergrabene Oxidgebiet (130) das Licht zu einem ersten Ende der Verjüngungsstruktur (120) umlenken soll;ein Gebiet aus polykristallinem Silizium (132), das an eine zweite Seite des ersten vergrabenen Oxidgebiets (130) gegenüber der ersten Seite angrenzt; undeinen Fotodetektor, der an das Gebiet aus monokristallinem Silizium (110) angrenzt, wobei der Fotodetektor gekoppelt ist zum Empfangen des Lichts über das erste Ende und zum Generieren eines elektrischen Signals auf der Basis des Lichts,wobei eine Grabenstruktur zumindest teilweise durch eine Ausnehmung des ersten vergrabenen Oxids (130) zum Gebiet aus polykristallinem Silizium (132) ausgebildet ist, wobei eine Bodenseite des Fotodetektors an in der Grabenstruktur angeordnetes Silizium (126) angrenzt.

公开(公告)号：EP2795675A4

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：EP11878060

申请日：2011-12-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HECK JOHN ,  BAR HANAN ,  FESHALI AVI ,  FELDESH RAN

IPC: H01L27/14 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/1225 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12061 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/205

公开(公告)号：EP3084844A4

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：EP13899668

申请日：2013-12-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： VINCENT BENJAMIN ,  FESHALI AVI

IPC: H01L31/12

CPC classification number: H01L31/105 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/4295 ,  G02B2006/121 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52

Abstract: Techniques and mechanisms for providing efficient direction of light to a photodetector with a tapered waveguide structure. In an embodiment, a taper structure of a semiconductor device comprises a substantially single crystalline silicon. A buried oxide underlies and adjoins the monocrystalline silicon of the taper structure, and a polycrystalline Si is disposed under the buried oxide. During operation of the semiconductor device light is redirected in the taper structure and received via a first side of a Germanium photodetector. In another embodiment, one or more mirror structures positioned on a far side of the Germanium photodetector may provide for a portion of the light to be reflected back to the Germanium photodetector.

Abstract translation: 用锥形波导结构为光探测器提供有效光方向的技术和机制。 在一个实施例中，半导体器件的锥形结构包括基本单晶硅。 掩埋氧化物位于锥形结构的单晶硅的下面并与之相邻，多晶硅位于掩埋氧化物下面。 在半导体器件的操作期间，光以锥形结构重新定向并经由锗光电探测器的第一侧接收。 在另一个实施例中，位于锗光电检测器的远侧的一个或多个反射镜结构可以提供一部分光被反射回锗光电检测器。

公开(公告)号：DE112013007697T5

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：DE112013007697

申请日：2013-12-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： FESHALI AVI ,  VINCENT BENJAMIN

IPC: H01L31/0232

Abstract: Techniken und Mechanismen zum Bereitstellen einer effizienten Lenkung von Licht zu einem Fotodetektor mit einer sich verjüngenden Wellenleiterstruktur. Bei einer Ausführungsform umfasst eine Verjüngungsstruktur eines Halbleiterbauelements ein im Wesentlichen einkristallines Silizium. Ein vergrabenes Oxid liegt unter dem monokristallinen Silizium der Verjüngungsstruktur und grenzt daran an, und ein polykristallines Si ist unter dem vergrabenen Oxid angeordnet. Während des Betriebs des Halbleiterbauelements wird Licht in der Verjüngungsstruktur umgelenkt und über eine erste Seite eines Germanium-Fotodetektors empfangen. Bei einer weiteren Ausführungsform können eine oder mehrere, auf einer fernen Seite des Germanium-Fotodetektors positionierte Spiegelstrukturen dafür sorgen, dass ein Teil des Lichts zum Germanium-Fotodetektor zurückreflektiert wird.