Abstract:
Beispiele beinhalten Verfahren zum Zugriff auf oder Betrieb von Dual In-Line Memory-Modulen (DIMM) über einen oder mehrere Datenkanäle. In einigen Beispielen kann auf die Speichervorrichtungen an oder auf dem DIMM über einen oder mehrere Datenkanäle zugegriffen werden. Der eine oder die mehreren Datenkanäle sind derart ausgelegt, dass das DIMM dafür konfiguriert ist, in einem Zweikanalmodus, der zwei Datenkanäle beinhaltet, betrieben zu werden oder in einem Einkanalmodus, der einen einzelnen Datenkanal beinhaltet, betrieben zu werden.
Abstract:
Described herein are a method and an apparatus for dynamically switching between one or more finite termination impedance value settings to a memory input-output (I/O) interface of a memory in response to a termination signal level. The method comprises: setting a first termination impedance value setting for a termination unit of an input-output (I/O) interface of a memory; assigning the first termination impedance value setting to the termination unit when the memory is not being accessed; and switching from the first termination impedance value setting to a second termination impedance value setting in response to a termination signal level.
Abstract:
Geräte weisen eine Verbindungskarte auf, die in einem Speicheranschluss verwendet werden kann. Die Verbindungskarte kann ein Substrat aufweisen, das einen ersten Substratabschnitt und einen zweiten Substratabschnitt, mehrere benachbarte Signalpfade, die sich von dem ersten Substratabschnitt zu dem zweiten Substratabschnitt erstrecken, und einen Kondensator, der zwischen jedem der benachbarten Signalpfade positioniert ist, aufweisen. Andere Ausführungsformen werden beschrieben und beansprucht.
Abstract:
Described herein are a method and an apparatus for dynamically switching between one or more finite termination impedance value settings to a memory input-output (I/O) interface of a memory in response to a termination signal level. The method comprises: setting a first termination impedance value setting for a termination unit of an input-output (I/O) interface of a memory; assigning the first termination impedance value setting to the termination unit when the memory is not being accessed; and switching from the first termination impedance value setting to a second termination impedance value setting in response to a termination signal level.
Abstract:
Techniques and mechanisms for exchanging information from a memory controller to a memory device via a command/address bus. In an embodiment, the memory device samples a first portion of a command during a first sample period and samples a second portion of the command during a second sample period, the first portion and second portion exchanged via the command/address bus. The first sample period and the second sample period are concurrent with, respectively, a first transition of a clock signal and a second transition of the clock signal. In another embodiment, a mode of the memory device determines a relationship between the first transition and the second transition.
Abstract:
Dynamic bus inversion (DBI) for programmable levels of a ratio of ones and zeros. A transmitting device identifies a number and/or ratio of ones and zeros in a noninverted version of a signal to be transmitted (“noninverted signal”) and a number and/or ratio of ones and zeros in an inverted version of the signal (“inverted signal”). The transmitting device can calculate whether a difference of ones and zeros in the noninverted signal or a difference of ones and zeros in the inverted signal provides a calculated average ratio of ones to zeros closer to a target ratio. The transmitting device sends the signal that achieves provides the calculated average ratio closer to the target ratio.