公开(公告)号：DE112019002300T5

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：DE112019002300

申请日：2019-08-22

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BANG SUYOUNG ,  KHELLAH MUHAMMAD M ,  AUGUSTINE CHARLES ,  MEINERZHAGEN PASCAL ,  CHO MINKI

IPC: H03K19/00

Abstract: Ausführungsformen beinhalten Geräte, Verfahren und Systeme, die mit dem Vorspannen eines Sleep-Transistors (auch als Leistungs-Gate-Transistor bezeichnet) in einer integrierten Schaltung assoziiert sind. Der Sleep-Transistor kann zwischen einem Belastungskreis und einer Stromschiene gekoppelt werden, wobei der Sleep-Transistor in einem aktiven Modus eingeschaltet sein soll, um die Versorgungsspannung zu dem Belastungskreis zu liefern, und in einem Sleep-Modus ausgeschaltet sein soll, um den Belastungskreis von der Stromschiene zu trennen. Die Vorspannschaltung kann mit dem Gate-Anschluss des Sleep-Transistors gekoppelt sein, um eine kalibrierte Gate-Vorspannung zu dem Gate-Anschluss während des Sleep-Modus bereitzustellen. Die kalibrierte Gate-Spannung kann auf einem Unterschwellenleckstrom und einem Gate-induzierten Drain-Leckstrom (GIDL-Strom) des Sleep-Transistors oder eines Replika-Sleep-Transistors, der konzipiert ist, um den Leckstrom des Sleep-Transistors zu replizieren, basieren. Andere Ausführungsformen können beschrieben und beansprucht werden.

公开(公告)号：DE102021119048A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：DE102021119048

申请日：2021-07-22

Applicant: INTEL CORP

Inventor： AUGUSTINE CHARLES ,  MEINERZHAGEN PASCAL ,  BANG SUYOUNG ,  AFZAL ABDULLAH ,  SUBRAMANIAN KARTHIK ,  KHELLAH MUHAMMAD ,  RAMAN ARVIND

IPC: G06F1/32

Abstract: Es wird ein Regler beschrieben, der ein In-situ-Zustandshalten unter Verwendung einer globalen Halteklemme mit geschlossenem Regelkreis bereitstellt. Der Regler behandelt di/dt- und Zuverlässigkeitsbeschränkungen unter Verwendung eines adaptiven Schemas, bei dem Schritte mit kleinerem Strom schnell geändert werden, während Schritte mit größerem Strom langsam geändert werden. Die Regelkreissteuerung eines Spannungsreglers wird zum Steuern nicht nur der Halte-Vmin während eines Niedrigleistungszustands (z. B. C1LP), sondern auch zum Steuern einer schnellen Reaktivierung des Niedrigleistungszustands (z. B. aus C1LP und aus C6) modifiziert.