公开(公告)号：KR20180008379A

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：KR20177022402

申请日：2015-03-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DIAS RAJENDRA C ,  ANDRYUSHCHENKO TATYANA N ,  KOBRINSKY MAURO J ,  ALEKSOV ALEKSANDAR ,  STAINES DAVID W

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본발명의실시예들은마이크로전자디바이스및 마이크로전자디바이스를형성하는방법들을포함한다. 실시예에서, 마이크로전자디바이스는도전성트레이스에의해콘택패드에각각전기적으로결합되는하나이상의다이콘택을갖는반도체다이를포함한다. 반도체다이는제1 탄성모듈러스를가질수 있다. 마이크로전자디바이스는또한반도체다이및 도전성트레이스위에캡슐화층을포함할수 있다. 캡슐화층은제1 탄성모듈러스보다작은제2 탄성모듈러스를가질수 있다. 마이크로전자디바이스는또한캡슐화층 내에제1 스트레인재분배층을포함할수 있다. 제1 스트레인재분배층은반도체다이및 도전성트레이스들의부분을커버하는풋프린트를가질수 있다. 스트레인재분배층은제1 탄성모듈러스보다작고제2 탄성모듈러스보다큰 제3 탄성모듈러스를가질수 있다.

Abstract translation: 本发明的实施例包括形成微电子器件和微电子器件的方法。 在一个实施例中，微电子器件包括具有一个或多个管芯触点的半导体管芯，每个管芯触点通过导电迹线电耦合到接触焊盘。 半导体管芯可以具有第一弹性模量。 微电子器件还可以包括在半导体管芯和导电迹线上的封装层。 包封层可以具有小于第一弹性模量的第二弹性模量。 微电子器件还可以包括封装层内的第一应变重分布层。 第一应变重分布层可以具有覆盖半导体管芯的一部分和导电迹线的覆盖区。 应变再分配层可以具有比第一弹性模量小并且大于第二弹性模量的第三弹性模量。