公开(公告)号：WO2012040711A2

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/US2011053273

申请日：2011-09-26

Applicant: INTEL CORP ,  ZOU BIN ,  GUO YAN ,  SANKMAN ROBERT L ,  HE JIANGQI

Inventor： ZOU BIN ,  GUO YAN ,  SANKMAN ROBERT L ,  HE JIANGQI

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01R43/16 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01R12/57 ,  H01R2103/00 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0242 ,  H05K1/0251 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/09336 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/1031 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49204 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods and apparatus relating to self-referencing pins are described. In one embodiment, a pin electrically couples a first agent to a second agent. The pin includes two or more portions that are at least partially separated by an insulator, e.g., to improve crosstalk performance. Other embodiments are also disclosed and claimed.

Abstract translation: 描述了与自引用引脚有关的方法和装置。 在一个实施例中，销将第一药剂电耦合到第二药剂。 该引脚包括至少部分地被绝缘体分开的两个或更多个部分，例如以改善串扰性能。 其他实施例也被公开和要求保护。

公开(公告)号：EP2619793A4

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：EP11827724

申请日：2011-09-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： ZOU BIN ,  GUO YAN ,  SANKMAN ROBERT L ,  HE JIANGQI

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01R12/57 ,  H01R43/16 ,  H01R103/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11

CPC classification number: H01R43/16 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01R12/57 ,  H01R2103/00 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0242 ,  H05K1/0251 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/09336 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/1031 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49204 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：DE102020112240A1

公开(公告)日：2020-12-17

申请号：DE102020112240

申请日：2020-05-06

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BROWN ANDREW ,  GARNER LUKE ,  CHENG LIWEI ,  LINK LAUREN ,  XU CHENG ,  WANG YING ,  ZOU BIN ,  ZHANG CHONG

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Ausführungsbeispiele hierin beschreiben Techniken für ein Halbleiterbauelement umfassend ein Package-Substrat. Das Package-Substrat umfasst eine Via-Anschlussfläche zumindest teilweise in einer Kernschicht. Eine erste Dielektrikumsschicht umfassend ein erstes Dielektrikumsmaterial liegt über der Via-Anschlussfläche und der Kernschicht, die erste Dielektrikumsschicht umfassend ein erstes Durchgangsloch durch die erste Dielektrikumsschicht, um die Via-Anschlussfläche zu erreichen. Eine zweite Dielektrikumsschicht umfassend ein zweites Dielektrikumsmaterial, das zumindest teilweise das erste Durchgangsloch füllt, die zweite Dielektrikumsschicht umfassend ein zweites Durchgangsloch durch die zweite Dielektrikumsschicht, um die Via-Anschlussfläche zu erreichen. Ein Via befindet sich ferner innerhalb des zweiten Durchgangslochs der zweiten Dielektrikumsschicht, umgeben von dem zweiten Dielektrikumsmaterial und in Kontakt mit der Via-Anschlussfläche. Andere Ausführungsbeispiele können beschrieben und/oder beansprucht sein.