公开(公告)号：KR20180021675A

公开(公告)日：2018-03-05

申请号：KR20177029905

申请日：2016-03-15

Applicant: INTERMOLECULAR INC ,  GUARDIAN INDUSTRIES

Inventor： DING GUOWEN ,  BOYCE BRENT ,  CHENG JEREMY ,  IMRAN MUHAMMAD ,  LAO JINGYU ,  LE MIHN HUU ,  SCHWEIGERT DANIEL ,  WEN SUN ZHI WEN ,  WANG YU ,  XU YONGLI ,  ZHANG GUIZHEN

IPC: C23C14/18 ,  C03C17/36 ,  C22C27/02 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08

CPC classification number: B32B15/08 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/366 ,  C23C14/185

Abstract: 박막전도성은 층위에형성된배리어층의조성물을조절하는단계를포함하는저방사율패널을제조하는방법. 배리어구조체는니켈, 티타늄, 및니오브의 3성분합금을포함하고, 이는 2성분배리어결과에비해전반적인성능이개선된다. 니켈의백분율은 5 내지 15 중량%일수 있다. 티타늄의백분율은 30 내지 50 중량%일수 있다. 니오브의백분율은 40 내지 60 중량%일수 있다.

Abstract translation: 薄导电用于生产低辐射面板包括：调整形成在层上的阻挡层的组合物的步骤的方法。 所述阻挡结构包括镍，钛，和铌相比，双组分屏障结果提高了整体性能的三组分合金。 镍的百分比可以是5至15重量％。 钛的百分比可以是30至50重量％。 铌的百分比可以是40至60重量％。

公开(公告)号：WO2009033067A2

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：PCT/US2008075459

申请日：2008-09-05

Applicant: INTERMOLECULAR INC ,  ENDO RICK ,  WEINER KURT ,  DE INDRANIL ,  TSUNG JAMES ,  ZHAO MAOSHENG ,  CHENG JEREMY

Inventor： ENDO RICK ,  WEINER KURT ,  DE INDRANIL ,  TSUNG JAMES ,  ZHAO MAOSHENG ,  CHENG JEREMY

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L21/32051 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/0043 ,  B01J2219/00536 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00745 ,  B01J2219/00756 ,  C23C14/042 ,  C23C14/50 ,  C23C14/548 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/6719

Abstract: A combinatorial processing chamber is provided. The combinatorial processing chamber is configured to isolate a radial portion of a rotatable substrate support, which in turn is configured to support a substrate. The chamber includes a plurality of clusters process heads in one embodiment. An insert having a base plate disposed between the substrate support and the process heads defines a confinement region for a deposition process in one embodiment. The base plate has an opening to enable access of the deposition material to the substrate. Through rotation of the substrate and movement of the opening, multiple regions of the substrate are accessible for performing combinatorial processing on a single substrate.

Abstract translation: 提供组合处理室。 组合处理室被配置为隔离可旋转的衬底支撑件的径向部分，该可旋转衬底支撑件又被配置为支撑衬底。 在一个实施例中，腔室包括多个聚集过程头。 在一个实施例中，具有设置在基板支撑件和工艺头之间的基板的插入件限定了用于沉积工艺的约束区域。 基板具有能够将沉积材料接近基板的开口。 通过基板的旋转和开口的移动，基板的多个区域是可访问的，以在单个基板上执行组合处理。

公开(公告)号：EP2969994A4

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：EP14780065

申请日：2014-03-12

Applicant: INTERMOLECULAR INC ,  GUARDIAN INDUSTRIES

Inventor： DING GUOWEN ,  BOYCE BRENT ,  CHENG JEREMY ,  IMRAN MUHAMMED ,  LAO JINGYU ,  LE MINH HUU ,  SCHWEIGERT DANIEL ,  SUN ZHI-WEN ,  WANG YU ,  XU YONGLI ,  ZHANG GUIZHEN

IPC: C03C17/36 ,  B32B9/00

CPC classification number: C23C14/083 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3464 ,  G02B5/0875 ,  G02B5/208 ,  Y10T428/12611

Abstract: A method for making low emissivity panels, including control the composition of a barrier layer formed on a thin conductive silver layer. The barrier structure can include a ternary alloy of titanium, nickel and niobium, which showed improvements in overall performance than those from binary barrier results. The percentage of titanium can be between 5 and 15 wt %. The percentage of nickel can be between 30 and 50 wt %. The percentage of niobium can be between 40 and 60 wt %.

Abstract translation: 一种制造低辐射面板的方法，包括控制形成在薄导电银层上的阻挡层的组成。 阻挡结构可以包括钛，镍和铌的三元合金，其显示出比来自二元屏障结果的整体性能的改善。 钛的百分比可以在5和15重量％之间。 镍的百分比可以在30-50重量％之间。 铌的百分比可以在40和60重量％之间。

公开(公告)号：EP2186115A4

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：EP08799247

申请日：2008-09-05

Applicant: INTERMOLECULAR INC

Inventor： ENDO RICK ,  WEINER KURT ,  DE INDRANIL ,  TSUNG JAMES ,  ZHAO MAOSHENG ,  CHENG JEREMY

IPC: H01L21/20 ,  B01J19/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/32051 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/0043 ,  B01J2219/00536 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00745 ,  B01J2219/00756 ,  C23C14/042 ,  C23C14/50 ,  C23C14/548 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/6719

公开(公告)号：EP2969993A4

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：EP14773055

申请日：2014-03-12

Applicant: INTERMOLECULAR INC ,  GUARDIAN INDUSTRIES

Inventor： DING GUOWEN ,  LINGLE PHIL ,  CHENG JEREMY ,  JU TONG ,  LE MINH HUU ,  SCHWEIGERT DANIEL ,  SUN ZHI-WEN ,  ZHANG GUIZHEN

IPC: C03C17/36

CPC classification number: C03C17/366 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: Low emissivity panels can include a separation layer of Zn2SnOx between multiple infrared reflective stacks. The low emissivity panels can also include NiNbTiOx as barrier layer. The low emissivity panels have high light to solar gain, color neutral, together with similar observable color before and after a heat treatment process.

Abstract translation: 低发射率的面板可包括Zn2SnOx的多个红外线反射堆之间的分离层。 因此，低发射率的面板可包括NiNbTiOx作为阻挡层。 低热辐射率板具有高的光到太阳能增益，中性色，具有相似的观察到的颜色一起之前和热处理工艺之后。

公开(公告)号：EP2969546A4

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：EP14773952

申请日：2014-03-12

Applicant: INTERMOLECULAR INC ,  GUARDIAN INDUSTRIES

Inventor： ZHANG GUIZHEN ,  BOYCE BRENT ,  CHENG JEREMY ,  IMRAN MUHAMMED ,  DING GUOWEN ,  LE MINH HUU ,  SCHWEIGERT DANIEL ,  XU YONGLI

IPC: B32B15/04 ,  C03C17/36 ,  C03C23/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  E06B9/24 ,  G02B5/26 ,  G02F1/09

CPC classification number: G02B5/208 ,  B29D11/00865 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681 ,  C03C23/007 ,  C03C2217/43 ,  C03C2217/48 ,  C03C2218/154 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  E06B9/24 ,  E06B2009/2417 ,  E06B2009/2464 ,  G02B5/26 ,  G02F1/091 ,  G02F2001/094 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: Disclosed herein are systems, methods, and apparatus for forming low emissivity panels that may include a substrate and a reflective layer formed over the substrate. The low emissivity panels may further include a top dielectric layer formed over the reflective layer such that the reflective layer is formed between the top dielectric layer and the substrate. The top dielectric layer may include a ternary metal oxide, such as zinc tin aluminum oxide. The top dielectric layer may also include aluminum. The concentration of aluminum may be between about 1 atomic % and 15 atomic % or between about 2 atomic % and 10 atomic %. An atomic ratio of zinc to tin in the top dielectric layer may be between about 0.67 and about 1.5 or between about 0.9 and about 1.1.

Abstract translation: 本文公开了用于形成低辐射率面板的系统，方法和装置，其可以包括衬底和形成在衬底上的反射层。 低辐射面板还可以包括在反射层上形成的顶部电介质层，使得反射层形成在顶部电介质层和衬底之间。 顶部电介质层可以包括三元金属氧化物，例如锌锡氧化铝。 顶部电介质层也可以包括铝。 铝的浓度可以在约1原子％至15原子％之间或约2原子％至10原子％之间。 顶部电介质层中锌与锡的原子比可以在约0.67至约1.5之间或约0.9至约1.1之间。