Stabilizers for vinyl ether resist formulations for imprint lithography

    公开(公告)号:GB2484837B

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:GB201119376

    申请日:2010-07-23

    Applicant: IBM JSR CORP

    Abstract: Coating compositions suitable for UV imprint lithographic applications include at least one vinyl ether crosslinker having at least two vinyl ether groups; at least one diluent comprising a monofunctional vinyl ether compound; at least one photoacid generator soluble in a selected one or both of the at least one monofunctional vinyl ether compound and the at least one vinyl ether crosslinker having the at least two vinyl ether groups; and at least one stabilizer comprising an ester compound selectively substituted with a substituent at an ester position or an alpha and the ester positions. Also disclosed are imprint processes.

    Stabilisatoren für Vinylether-Resistformulierungen für die Prägelithographie

    公开(公告)号:DE112010003347T5

    公开(公告)日:2012-08-09

    申请号:DE112010003347

    申请日:2010-07-23

    Applicant: JSR CORP IBM

    Abstract: Beschichtungszusammensetzungen, die für UV-Prägelithographie-Anwendungen geeignet sind, umfassen mindestens ein Vinylether-Vernetzungsmittel mit mindestens zwei Vinylethergruppen; mindestens ein Verdünnungsmittel, welches eine monofunktionelle Vinyletherverbindung umfasst; mindestens einen Photosäurebildner, der in einem ausgewählten oder beiden aus der mindestens einen monofunktionellen Vinyletherverbindung und dem mindestens einen Vinylether-Vernetzungsmittel mit mindestens zwei Vinylethergruppen löslich ist; und mindestens einen Stabilisator, der eine Esterverbindung umfasst, die selektiv entweder an einer Esterposition oder an einer Alphaposition und der Esterposition mit einem Substituenten substituiert ist. Es werden auch Prägeverfahren offenbart.

    STABILISATOREN FÜR VINYLETHER-RESISTFORMULIERUNGENFÜR DIE PRÄGELITHOGRAPHIE SOWIE PRÄGEVERFAHREN

    公开(公告)号:DE112010003347B4

    公开(公告)日:2022-02-03

    申请号:DE112010003347

    申请日:2010-07-23

    Applicant: JSR CORP IBM

    Abstract: Vinylether-Resistformulierung, welche das Folgende umfasst:mindestens ein Vinylether-Vernetzungsmittel mit mindestens zwei Vinylethergruppen;mindestens ein Verdünnungsmittel, welches eine monofunktionelle Vinyletherverbindung umfasst;mindestens einen Photosäurebildner, der in einem ausgewählten oder beiden aus i) der monofunktionellen Vinyletherverbindung und ii) dem mindestens einen Vinylether-Vernetzungsmittel löslich ist; undmindestens einen Stabilisator, der eine Esterverbindung umfasst, die selektiv entweder i) an einer Esterposition oder ii) an einer Alphaposition und der Esterposition mit einem Substituenten substituiert ist, wobei die Esterverbindung die folgende Formel aufweist:wobei R1für einen Substituenten an der Alphaposition steht und R2für einen Substituenten an der Esterposition steht.

    Stabilizers for vinyl ether resist formulations for imprint lithography

    公开(公告)号:GB2484837A

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:GB201119376

    申请日:2010-07-23

    Applicant: IBM JSR CORP

    Abstract: Coating compositions suitable for UV imprint lithographic applications include at least one vinyl ether crosslinker having at least two vinyl ether groups; at least one diluent comprising a monofunctional vinyl ether compound; at least one photoacid generator soluble in a selected one or both of the at least one monofunctional vinyl ether compound and the at least one vinyl ether crosslinker having the at least two vinyl ether groups; and at least one stabilizer comprising an ester compound selectively substituted with a substituent at an ester position or an alpha and the ester positions. Also disclosed are imprint processes.

    Process for producing bicyclohexyl
    9.
    发明专利
    Process for producing bicyclohexyl 审中-公开
    生产双氰胺的方法

    公开(公告)号:JP2009215265A

    公开(公告)日:2009-09-24

    申请号:JP2008063284

    申请日:2008-03-12

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing bicyclohexyl which is suitable as a liquid for immersion exposure having excellent transmittance at 193 nm by more reducing its absorbance.
    SOLUTION: Disclosed is a method of producing bicyclohexyl having an average light transmittance at a wavelength of 193 nm of ≥99.40% per 1 mm of the optical path length by bringing raw material bicyclohexyl into contact with an adsorbent, wherein the method comprises a step of bringing the raw material bicyclohexyl into contact with the adsorbent in an atmosphere of an inert gas having a purity of ≥99.999 vol%, and after the step of bringing the bicyclohexyl as a raw material into contact with the adsorbent, installing a storage tank for temporarily storing the bicyclohexyl before it is filled into a container, and performing substitution with an inert gas in the storage tank.
    COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种制备二环己基的方法,其适合作为浸渍曝光用液体,通过更多地降低其吸光度在193nm下具有优异的透光率。 解决方案:公开了通过使原料双环己基与吸附剂接触而制造在193nm波长处的平均透光率为每1mm的光程长度≥99.40%的双环己基的方法,其中该方法包括 在纯度≥99.999体积%的惰性气体的气氛中使原料双环己基与吸附剂接触的工序,在将双环己基作为原料与吸附剂接触的工序后, 罐,用于在将二环己基填充到容器中之前临时储存二环己基,并在储罐中用惰性气体进行置换。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT

    Method for producing bicyclohexyl
    10.
    发明专利
    Method for producing bicyclohexyl 审中-公开
    生产双氰胺的方法

    公开(公告)号:JP2009013120A

    公开(公告)日:2009-01-22

    申请号:JP2007177090

    申请日:2007-07-05

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable further reducing the absorbance of bicyclohexyl suitable as a liquid for liquid-immersion exposure with high light transmittance at 193 nm wavelength.
    SOLUTION: A method for producing bicyclohexyl whose light transmittance at 193 nm wavelength is 99% or higher per mm optical path length of the liquid is provided, comprising the step of bringing a raw material bicyclohexyl into contact with a mixed oxide containing SiO
    2 and Al
    2 O
    3 ; wherein the above mixed oxide is at least one selected from silica-alumina and zeolite, and the zeolite and the silica-alumina are 2-300 mol/mol in SiO
    2 /Al
    2 O
    3 ratio, respectively.
    COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:为了进一步降低在193nm波长处具有高透光率的适合作为液浸曝光液体的二环己基的吸光度。 解决方案:提供了一种制备双链己基的方法,其中在193nm波长下的透光率为99%以上,每毫米光路长度的液体,包括使双环己基原料与含SiO的混合氧化物接触的步骤 2 和Al 2 3 ; 其中上述混合氧化物是选自二氧化硅 - 氧化铝和沸石中的至少一种,并且SiO 2 / SiO 2 / SiO 2中的沸石和二氧化硅 - 氧化铝为2-300mol / mol, SB> O 3 比。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT

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