公开(公告)号：CN118222988A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410558512.3

申请日：2018-01-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 太斋贵文 ,  仙田真一郎

IPC: C23C14/34

Abstract: 本申请提供一种可得到在整个靶寿命中波动小的成膜速度的钨溅射靶以及钨溅射靶的制造方法。在钨溅射靶中，通过利用电子背散射衍射法的反极投影对垂直于溅射面的剖面进行分析，{100}、{110}以及{111}面取向的晶粒的面积比例对于任一个取向面均为30％以下，{100}、{110}以及{111}面以外的面取向的晶粒的总面积比例为46％以上。

公开(公告)号：CN110234790A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009124.2

申请日：2018-01-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 太斋贵文 ,  仙田真一郎

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

Abstract: 本申请提供一种可得到在整个靶寿命中波动小的成膜速度的钨溅射靶。在钨溅射靶中，通过利用电子背散射衍射法的反极投影对垂直于溅射面的剖面进行分析，{100}、{110}以及{111}面取向的晶粒的面积比例对于任一个取向面均为30％以下，{100}、{110}以及{111}面以外的面取向的晶粒的总面积比例为46％以上。