公开(公告)号：CN111971413B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201880091653.1

申请日：2018-11-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 太斋贵文 ,  浅野孝幸 ,  冈部岳夫

IPC: C23C14/34

Abstract: 提供一种溅射成膜时有效地减少微粒的产生的硅化钨靶。其是具有WSi2相和Si相的双相结构的硅化钨靶，以原子比计的组成式用WSix(其中，X＞2.0。)表示，观察溅射面时，构成所述Si相的Si粒中，单个Si粒的面积为63.6μm2以上者的总面积I1与所有所述Si粒的总面积S1之比(I1/S1)为5％以下，抗弯强度的威布尔系数为2.1以上。

公开(公告)号：CN111971413A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201880091653.1

申请日：2018-11-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 太斋贵文 ,  浅野孝幸 ,  冈部岳夫

IPC: C23C14/34

Abstract: 提供一种溅射成膜时有效地减少微粒的产生的硅化钨靶。其是具有WSi2相和Si相的双相结构的硅化钨靶，以原子比计的组成式用WSix(其中，X＞2.0。)表示，观察溅射面时，构成所述Si相的Si粒中，单个Si粒的面积为63.6μm2以上者的总面积I1与所有所述Si粒的总面积S1之比(I1/S1)为5％以下，抗弯强度的威布尔系数为2.1以上。

公开(公告)号：CN110234790A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009124.2

申请日：2018-01-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 太斋贵文 ,  仙田真一郎

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

Abstract: 本申请提供一种可得到在整个靶寿命中波动小的成膜速度的钨溅射靶。在钨溅射靶中，通过利用电子背散射衍射法的反极投影对垂直于溅射面的剖面进行分析，{100}、{110}以及{111}面取向的晶粒的面积比例对于任一个取向面均为30％以下，{100}、{110}以及{111}面以外的面取向的晶粒的总面积比例为46％以上。

公开(公告)号：CN118222988A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410558512.3

申请日：2018-01-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 太斋贵文 ,  仙田真一郎

IPC: C23C14/34

Abstract: 本申请提供一种可得到在整个靶寿命中波动小的成膜速度的钨溅射靶以及钨溅射靶的制造方法。在钨溅射靶中，通过利用电子背散射衍射法的反极投影对垂直于溅射面的剖面进行分析，{100}、{110}以及{111}面取向的晶粒的面积比例对于任一个取向面均为30％以下，{100}、{110}以及{111}面以外的面取向的晶粒的总面积比例为46％以上。