公开(公告)号：CN109963967B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201780071427.2

申请日：2017-11-09

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 野田朗 ,  川平启太 ,  平野立一

IPC: C30B29/40 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×1018cm‑3以上的高掺杂区域，亦在基板的主表面整面实现高Zn的电性活化率的掺杂有Zn的InP单晶基板及它的制造方法。一面以转速10rpm以下使InP单晶锭旋转，一面至少在上述InP单晶锭的冷却时将200℃的温度差在2～7.5分钟的时间内进行冷却，继而将其切成薄板状，由此制成即便是直径75mm以上且Zn浓度5×1018cm‑3以上的掺杂有Zn的InP单晶基板，Zn的电性活化率亦在上述基板的主表面整面超过85％。

公开(公告)号：CN109963967A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780071427.2

申请日：2017-11-09

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 野田朗 ,  川平启太 ,  平野立一

IPC: C30B29/40 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×1018cm‑3以上的高掺杂区域，亦在基板的主表面整面实现高Zn的电性活化率的掺杂有Zn的InP单晶基板及它的制造方法。一面以转速10rpm以下使InP单晶锭旋转，一面至少在上述InP单晶锭的冷却时将200℃的温度差在2～7.5分钟的时间内进行冷却，继而将其切成薄板状，由此制成即便是直径75mm以上且Zn浓度5×1018cm‑3以上的掺杂有Zn的InP单晶基板，Zn的电性活化率亦在上述基板的主表面整面超过85％。