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公开(公告)号：CN117897516A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280058268.3
申请日：2022-09-01
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 村井一贵 , 长田幸三
IPC: C23C14/34 , C04B35/01
Abstract: 本发明提供一种抑制溅射时的电弧、微粒増加等，并且相对密度高的IGZO溅射靶。该IGZO溅射靶含有铟(In)、钙(Ga)、锌(Zn)、锆(Zr)及氧(O)，余量由不可避免的杂质组成，含有小于20质量ppm的Zr，相对密度为95％以上。
