公开(公告)号：CN111364011A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910746078.0

申请日：2019-08-13

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅 ,  山本浩由 ,  桃井元 ,  角田浩二 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。

公开(公告)号：CN111364011B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201910746078.0

申请日：2019-08-13

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅 ,  山本浩由 ,  桃井元 ,  角田浩二 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。