公开(公告)号：CN111364011B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201910746078.0

申请日：2019-08-13

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅 ,  山本浩由 ,  桃井元 ,  角田浩二 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。

公开(公告)号：CN111364011A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910746078.0

申请日：2019-08-13

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅 ,  山本浩由 ,  桃井元 ,  角田浩二 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。

公开(公告)号：CN110937891A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910446594.1

申请日：2019-05-27

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 秀岛正章 ,  角田浩二

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种可为适当的机械强度，且有效地降低体电阻、可抑制异常放电的发生的烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法。本发明的烧结体是含有In、Ga及Zn的氧化物的烧结体，其满足0.317

公开(公告)号：CN109837512B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201811055653.4

申请日：2018-09-11

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅 ,  山本浩由 ,  角田浩二 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种溅射膜的膜电阻不易受到溅射时的氧浓度影响的IZO靶材。一种IZO靶材，具有如下的整体组成：含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)＝0.030～0.250、Sn/(In+Sn+Zn)＝0.002～0.080，余量由O和不可避免的杂质构成，该IZO靶材具有靶材组织，所述靶材组织中分散有通过FE－EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。

公开(公告)号：CN109837512A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811055653.4

申请日：2018-09-11

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 远藤瑶辅 ,  山本浩由 ,  角田浩二 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种溅射膜的膜电阻不易受到溅射时的氧浓度影响的IZO靶材。一种IZO靶材，具有如下的整体组成：含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)＝0.030～0.250、Sn/(In+Sn+Zn)＝0.002～0.080，余量由O和不可避免的杂质构成，该IZO靶材具有靶材组织，所述靶材组织中分散有通过FE－EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。