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公开(公告)号：CN109072417A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021081.5
申请日：2017-10-31
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 梶山纯
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种抑制电弧的IGZO溅镀靶。本发明的IGZO溅镀靶含有In、Ga、Zn、O，其特征在于：以原子比计为0.30≦In/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.36，相对密度为96％以上，溅镀靶表面的晶粒的平均粒径为30.0μm以下，且溅镀靶表面的粒径的差异为20％以下(1.0≦Dmax/Dmin≦1.2)。
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公开(公告)号：CN107779821B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201710734442.2
申请日：2017-08-24
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种烧结体、溅射靶及其制造方法，所述烧结体能够在IZO靶中有效抑制烧结体表面和内部的体积电阻率的偏差。本发明的烧结体是包含In、Zn、O的氧化物的所述烧结体，从所述烧结体的表面沿厚度方向1mm的深度位置的体积电阻率Rs与从所述烧结体的表面沿厚度方向4mm的深度位置的体积电阻率Rd之差除以所述4mm的深度位置的体积电阻率Rd的比率，即(Rs‑Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为20％以下。
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公开(公告)号：CN109072417B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201780021081.5
申请日：2017-10-31
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 梶山纯
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种抑制电弧的IGZO溅镀靶。本发明的IGZO溅镀靶含有In、Ga、Zn、O，其特征在于：以原子比计为0.30≦In/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.36，相对密度为96％以上，溅镀靶表面的晶粒的平均粒径为30.0μm以下，且溅镀靶表面的粒径的差异为20％以下(1.0≦Dmax/Dmin≦1.2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111748779A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911394975.6
申请日：2019-12-30
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 梶山纯
Abstract: 本发明提供一种在背板上接合多个溅射靶部件而成的分割溅射靶，该分割溅射靶对各个溅射靶部件的厚度进行了控制。一种分割溅射靶，具备：隔着间隙地排列在背板上的多个平板状溅射靶部件；接合材料，其配置在背板与各个溅射靶部件之间；遮蔽材料，其配置在邻接的溅射靶部件之间的所述间隙中；多个线状垫隔件，配置在背板与各个溅射靶部件之间的不会与遮蔽材料重叠的位置，用于调节接合材料的厚度。
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公开(公告)号：CN107779821A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710734442.2
申请日：2017-08-24
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种烧结体、溅射靶及其制造方法，所述烧结体能够在IZO靶中有效抑制烧结体表面和内部的体积电阻率的偏差。本发明的烧结体是包含In、Zn、O的氧化物的所述烧结体，从所述烧结体的表面沿厚度方向1mm的深度位置的体积电阻率Rs与从所述烧结体的表面沿厚度方向4mm的深度位置的体积电阻率Rd之差除以所述4mm的深度位置的体积电阻率Rd的比率，即(Rs-Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为20％以下。
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公开(公告)号：CN111748779B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911394975.6
申请日：2019-12-30
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 梶山纯
Abstract: 本发明提供一种在背板上接合多个溅射靶部件而成的分割溅射靶，该分割溅射靶对各个溅射靶部件的厚度进行了控制。一种分割溅射靶，具备：隔着间隙地排列在背板上的多个平板状溅射靶部件；接合材料，其配置在背板与各个溅射靶部件之间；遮蔽材料，其配置在邻接的溅射靶部件之间的所述间隙中；多个线状垫隔件，配置在背板与各个溅射靶部件之间的不会与遮蔽材料重叠的位置，用于调节接合材料的厚度。
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公开(公告)号：CN107532285B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201680004228.5
申请日：2016-02-10
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明的目的在于减少制造过程中电弧的发生，提高制造工艺的成品率。溅射靶的特征在于：具有多个靶部件，所述多个靶部件由陶瓷构成，经由熔点在300℃以下的低熔点金属构成的接合材料接合于由金属构成的基材；所述基材的与所述接合材料接触的面的表面粗糙度Ra为1.8μm以上；所述多个靶部件为中空的圆筒形状，并具有在以包围所述基材的外周面的形式接合于所述基材时，各个相邻的靶部件隔开规定的间隔而对置的圆形面；所述圆形面的表面粗糙度Ra为2.0μm以上且8.0μm以下。
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公开(公告)号：CN107532285A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680004228.5
申请日：2016-02-10
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明的目的在于减少制造过程中电弧的发生，提高制造工艺的成品率。溅射靶的特征在于：具有多个靶部件，所述多个靶部件由陶瓷构成，经由熔点在300℃以下的低熔点金属构成的接合材料接合于由金属构成的基材；所述基材的与所述接合材料接触的面的表面粗糙度Ra为1.8μm以上；所述多个靶部件为中空的圆筒形状，并具有在以包围所述基材的外周面的形式接合于所述基材时，各个相邻的靶部件隔开规定的间隔而对置的圆形面；所述圆形面的表面粗糙度Ra为2.0μm以上且8.0μm以下。
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