公开(公告)号：CN110937891A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910446594.1

申请日：2019-05-27

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 秀岛正章 ,  角田浩二

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种可为适当的机械强度，且有效地降低体电阻、可抑制异常放电的发生的烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法。本发明的烧结体是含有In、Ga及Zn的氧化物的烧结体，其满足0.317

公开(公告)号：CN108220893B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201711341245.0

申请日：2017-12-14

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 秀岛正章

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供一种相对密度高、并能够抑制溅镀成膜时的电弧作用及颗粒的产生的透明导电膜形成用靶材、透明导电膜、透明导电膜形成用靶材的制造方法及透明导电膜的制造方法。一种透明导电膜形成用靶材，含有In、Sn、Zn、O，Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％，Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％，Sn与Zn的原子数比(Sn/Zn)为1.3以上，并且通过XRD测定得到的Sn3In4O12结晶相相对于In2O3结晶相的峰强度比(Sn3In4O12/In2O3)为0.10以下，相对密度为97％以上。

公开(公告)号：CN108220893A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711341245.0

申请日：2017-12-14

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 秀岛正章

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供一种相对密度高、并能够抑制溅镀成膜时的电弧作用及颗粒的产生的透明导电膜形成用靶材、透明导电膜、透明导电膜形成用靶材的制造方法及透明导电膜的制造方法。一种透明导电膜形成用靶材，含有In、Sn、Zn、O，Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％，Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％，Sn与Zn的原子数比(Sn/Zn)为1.3以上，并且通过XRD测定得到的Sn3In4O12结晶相相对于In2O3结晶相的峰强度比(Sn3In4O12/In2O3)为0.10以下，相对密度为97％以上。