公开(公告)号：WO2015147963A3

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015010672

申请日：2015-01-08

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： MURAMATSU MASAHARU ,  SUZUKI HISANORI ,  YONETA YASUHITO ,  OTSUKA SHINYA ,  CHERN JEHN-HUAR HOWARD ,  BROWN DAVID L ,  CHUANG YUNG-HO ALEX ,  FIELDEN JOHN ,  IYER VENKATRAMAN

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: An image sensor for short-wavelength light includes a semiconductor membrane, circuit elements formed on one surface of the semiconductor membrane, and a pure boron layer on the other surface of the semiconductor membrane. An anti-reflection or protective layer is formed on top of the pure boron layer. This image sensor has high efficiency and good stability even under continuous use at high flux for multiple years. The image sensor may be fabricated using CCD (charge coupled device) or CMOS (complementary metal oxide semiconductor) technology. The image sensor may be a two-dimensional area sensor, or a one-dimensional array sensor.

Abstract translation: 用于短波长光的图像传感器包括半导体膜，形成在半导体膜的一个表面上的电路元件和在半导体膜的另一个表面上的纯硼层。 在纯硼层的顶部形成防反射层或保护层。 该图像传感器具有高效率和良好的稳定性，即使在高通量下连续使用多年。 图像传感器可以使用CCD（电荷耦合器件）或CMOS（互补金属氧化物半导体）技术来制造。 图像传感器可以是二维区域传感器或一维阵列传感器。

公开(公告)号：DE112015000383T5

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：DE112015000383

申请日：2015-01-08

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： OTSUKA SHINYA ,  FIELDEN JOHN ,  IYER VENKATRAMAN ,  MURAMATSU MASAHARU ,  SUZUKI HISANORI ,  YONETA YASUHITO ,  CHERN JEHN-HUAR HOWARD ,  BROWN DAVID L ,  CHUANG YUNG-HO ALEX

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/205

Abstract: Ein Bildsensor für Licht mit kurzer Wellenlänge umfasst eine Halbleitermembran, Schaltungselemente, die auf einer Oberfläche der Halbleitermembran ausgebildet sind, und eine reine Borschicht auf der anderen Oberfläche der Halbleitermembran. Eine antireflektierende oder schützende Schicht ist auf der Oberseite der reinen Borschicht ausgebildet. Dieser Bildsensor hat eine hohe Effizienz und hohe Stabilität selbst bei kontinuierlicher Nutzung mit hohem Fluss über mehrere Jahre hinweg. Der Bildsensor kann unter Anwendung einer CCD-(ladungsgekoppeltes Bauelement) oder CMOS-(komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter)Technik hergestellt werden. Der Bildsensor kann ein zweidimensionaler Flächensensor oder ein eindimensionaler Array-Sensor sein.