公开(公告)号：DE102008002231B4

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：DE102008002231

申请日：2008-06-05

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： NAM EUN SOO ,  OH MYONG SOOK ,  KIM HO YOUNG ,  CHONG YOUNG JUN ,  YU HYUNG KYU

IPC: H01L27/146 ,  G01S7/481 ,  G01S7/486 ,  H04N5/335

Abstract: Photodetektor-Array-IC für ein Laserradar-Bildsignal, umfassend: mehrere Photodetektionspixel (210), wovon jedes eine Photodiode (PD) zum Umsetzen der Energie von einfallendem Licht in elektrische Energie und eine integrierte Ausleseschaltung ROIC (220) umfasst, die einen ersten Heteroübergang-Bipolartransistor (HBT1) zum Auswählen der elektrischen Energie der Photodiode in der Zeile des Photodioden-Array und einen zweiten Heteroübergang-Bipolartransistor (HBT2) zum Auswählen der Ausgabe der elektrischen Signale, die von dem Photodetektor in der Spalte des Photodioden-Array übertragen werden, umfasst; und Metall-Verbindungsleitungen, die für die elektrische Verbindung zwischen einer n-Elektrode der Photodiode (PD) und einer Emitterelektrode des ersten Heteroübergang-Bipolartransistors (HBT1) sowie zwischen einer Kollektorelektrode des ersten Heteroübergang-Bipolartransistors (HBT1) und einer Emitterelektrode des zweiten Heteroübergang-Bipolartransistors (HBT2) vorgesehen sind, wobei die Photodiode (PD), der erste Heteroübergang-Bipolartransistor (HBT1) und der zweite Heteroübergang-Bipolartransistor (HBT2) als monolithischer Chip auf einem semi-isolierenden InP-Substrat-Wafer (10) integriert sind.

公开(公告)号：DE102008002231A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE102008002231

申请日：2008-06-05

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： NAM EUN SOO ,  OH MYONG SOOK ,  KIM HO YOUNG ,  CHONG YOUNG JUN ,  YU HYUNG KYU

IPC: H01L27/146 ,  G01S7/481 ,  H04N5/30

Abstract: A method of manufacturing a photo-detector array device integrated with a read-out integrated circuit (ROIC) monolithically integrated for a laser-radar image signal. A detector array device, a photodiode and control devices for selecting and outputting a laser-radar image signal are simultaneously formed on an InP substrate. In addition, after the photodiode and the control devices are simultaneously formed on the InP substrate, the photodiode and the control devices are electrically separated from each other using a polyamide, whereby a PN junction surface of the photodiode is buried to reduce surface leakage current and improve electrical reliability, and the structure of the control devices can be simplified to improve image signal reception characteristics.

公开(公告)号：KR20120065621A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：KR20100126842

申请日：2010-12-13

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： SUNG KI JUN ,  NAM EUN SOO ,  KWON YONG HWAN ,  MHEEN BONG KI ,  OH MYOUNG SOOK ,  SIM JAE SIK ,  KIM KI SOO

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/047 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: An avalanche photodiode and a manufacturing method thereof are provided to efficiently reduce a size of the avalanche photodiode by minimizing an area for forming an N type electrode on the rear of an epitaxial wafer. CONSTITUTION: An epitaxial wafer including an absorbing layer(201), a grading layer(202), and an amplifying layer(204) is formed on a substrate(200). An insulation layer(205) is formed on the epitaxial wafer. One or more holes are formed from the insulation layer to the preset depth of the substrate. A tapered hole is formed by etching the upper side of the hole. An insulation layer(208) is formed on the walls of the hole and the tapered hole. A metal seed layer(209) is formed on the insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供雪崩光电二极管及其制造方法，以通过最小化在外延晶片的后部形成N型电极的面积来有效地降低雪崩光电二极管的尺寸。 构成：在基板（200）上形成包括吸收层（201），分级层（202）和放大层（204）的外延晶片。 在外延晶片上形成绝缘层（205）。 从绝缘层到基板的预设深度形成一个或多个孔。 通过蚀刻孔的上侧形成锥形孔。 在孔的壁和锥形孔上形成绝缘层（208）。 在绝缘层上形成金属种子层（209）。