公开(公告)号：KR20200142587A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：KR20207034939

申请日：2019-05-02

Applicant: LAM RES CORP

Inventor： JIN YANSHA ,  TAN ZHONGKUI ,  KENT TYLER ,  YAN HAOQUAN ,  FU QIAN ,  CONTRERAS ANTHONY

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 프로세싱챔버에서세정프로세스를수행하는방법은프로세싱챔버의기판지지부상에배치된기판없이, 기판지지부의에지링 상에코팅의증착을달성하도록가스분배디바이스의측벽튜닝홀들을통해측벽가스플로우에반응물질가스들을공급하는단계를포함한다. 측벽가스플로우는에지링 위의프로세싱챔버의외측영역을타깃팅하고, 반응물질가스들은제 1 플로우레이트로공급된다. 방법은측벽튜닝홀들을통해반응물질가스들을공급하는동안, 가스분배디바이스의중심홀들을통해중심가스플로우에불활성가스들을공급하는단계를더 포함한다. 불활성가스들은제 1 플로우레이트보다큰 제 2 플로우레이트로공급된다.