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公开(公告)号：CN101093325A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610161880.6
申请日：2006-12-05
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F2202/022
Abstract: 本发明公开了一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括：位于基板上的第一源极和第一漏极，其中所述第一源极和第一漏极彼此分离并且由金属材料形成；分别位于所述第一源极和第一漏极上的第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极均由透明导电材料形成，其中所述第二源极覆盖所述第一源极的上表面，并且所述第二漏极覆盖所述第一漏极的上表面；位于基板上的像素电极，并且所述像素电极与基板上的所述第二漏极接触；位于基板上的有机半导体层；位于基板上的栅绝缘层；以及位于基板上的栅极。
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公开(公告)号：CN1289958C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310113697.5
申请日：2003-11-19
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L29/66765
Abstract: 一种液晶显示装置的制造方法包括：在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；在栅极线、栅极和栅极焊盘上形成一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一有源层；在有源层上形成一欧姆接触层；在欧姆接触层上形成一数据线、一数据焊盘和源极与漏极；形成一接触漏极的像素电极；在包括像素电极的基板上形成一钝化层；在第二基板上形成一公共电极；粘结第一基板和第二基板，以使像素电极和公共电极彼此面对；将液晶材料注入第一基板与第二基板之间；以及通过将液晶显示装置浸入一蚀刻剂中的浸渍过程而沿着所述基板的第一侧和第二侧的整个长度去除栅极绝缘层和钝化层的至少其中之一，以在不形成接触孔的情况下暴露栅极焊盘和数据焊盘。
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公开(公告)号：CN100371813C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410085639.0
申请日：2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板，该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板，TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT，用于保护TFT的保护膜，连接到TFT的像素电极，基本平行于像素电极的公共线，连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极，以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板，并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号：CN101064332A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610144911.7
申请日：2006-11-22
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L51/0018 , G02F1/1368 , H01L27/283 , H01L51/0541 , H01L51/055
Abstract: 本发明公开了一种有机TFT阵列基板及其制造方法。在该有机TFT阵列基板中，数据线设置在基板上，栅线与该数据线交叉。源极与该数据线相连接。漏极与该源极以预定距离间隔开。有机半导体层在该源极和漏极之间形成沟道。有机栅绝缘膜设置在有机半导体层上并与其具有相同的图案。栅极覆盖有机栅绝缘膜上的有机半导体层。设置在栅极上的栅光刻胶图案用于形成栅极。像素电极与该漏极相连接。
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公开(公告)号：CN101060162A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610167256.7
申请日：2006-12-12
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , G02F1/1368 , H01L51/102
Abstract: 本发明公开一种有机半导体结构及其制造方法、使用该有机半导体结构的有机薄膜晶体管及其制造方法以及使用该有机薄膜晶体管的显示器件。有机薄膜晶体管包括：形成在基础基板上的氧化物层；设置在氧化物层上的源极，其中源极包括第一源极部分和第二源极部分；设置在氧化物层上的漏极，其中漏极包括第一漏极部分和第二漏极部分，第二漏极部分设置为临近所述第一源极部分；具有暴露第一源极部分和第二漏极部分的开口的有机层图案；通过开口与所述第一源极部分和第二漏极部分电连接的有机半导体图案，其中有机半导体图案具有导电或绝缘特性；覆盖有机半导体图案的栅绝缘层；以及形成在栅绝缘层的与有机半导体图案相对应的预定部分上的栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101059631A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610169488.6
申请日：2006-12-15
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/027 , H01L21/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供使用有机半导体材料的液晶显示器阵列基板及其制造方法。液晶显示装置的阵列基板包括：形成在具有像素区的基板上的数据线；形成在基板上的源极和漏极，源极从数据线延伸并与漏极隔开；形成在像素区中的像素电极，该像素电极接触漏极；形成在基板上的有机半导体层；形成在基板上的栅绝缘层；位于基板上的由第一金属材料形成的栅极，通过干法刻蚀对该第一金属材料进行了构图；位于栅极上的光敏有机绝缘材料的第一钝化层，其具有栅接触孔，所述栅接触孔暴露出栅极；以及位于第一钝化层上的由第二金属材料形成的选通线，该选通线与数据线交叉以限定像素区并穿过栅接触孔而接触栅极，其中，有机半导体层、栅绝缘层和栅极具有相同形状。
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公开(公告)号：CN1607445A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410085639.0
申请日：2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板，该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板，TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT，用于保护TFT的保护膜，连接到TFT的像素电极，基本平行于像素电极的公共线，连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极，以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板，并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号：CN1514295A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310113697.5
申请日：2003-11-19
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L29/66765
Abstract: 一种液晶显示装置的制造方法包括：在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；在栅极线、栅极和栅极焊盘上形成一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一有源层；在有源层上形成一欧姆接触层；在欧姆接触层上形成一数据线、一数据焊盘和源极与漏极；形成一接触漏极的像素电极；在包括像素电极的基板上形成一钝化层；在第二基板上形成一公共电极；粘结第一基板和第二基板，以使像素电极和公共电极彼此面对；将液晶材料注入第一基板与第二基板之间；以及在不形成接触孔的情况下暴露栅极焊盘和数据焊盘。
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公开(公告)号：CN100378561C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510079768.3
申请日：2005-06-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器结构。所述液晶显示器结构包括象素区和基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管毗邻象素区并且包括栅极；具有一顶面的栅绝缘层；栅绝缘层顶面上的源极和漏极；设置在栅绝缘层顶面上和象素区内的半导体层，源极和漏极之间的半导体层限定一沟道区，半导体层包括小分子有机半导体材料；以及覆盖沟道区的第一钝化层，第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
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公开(公告)号：CN1752825A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510079768.3
申请日：2005-06-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器结构。所述液晶显示器结构包括象素区和基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管毗邻象素区并且包括栅极；具有一顶面的栅绝缘层；栅绝缘层顶面上的源极和漏极；设置在栅绝缘层顶面上的半导体层，源极和漏极之间的半导体层限定一沟道区，半导体层包括小分子有机半导体材料；以及覆盖沟道区的第一钝化层，第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
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