液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1940683A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200610087178.X

    申请日:2006-06-15

    Abstract: 本发明提供了一种用于LCD器件的阵列基板,该基板包括第一TFT,该第一TFT包括第一半导体层、第一栅极,其中第一栅极设置在第一半导体层的正上方;沿第一半导体层的边缘从第一栅极延伸的第一突出部;第二TFT,第二TFT包含第二半导体层、第二栅极,其中第二栅极设置在第二半导体层的正上方;沿第二半导体层的边缘从第二栅极延伸的第二突出部;在显示区域中彼此交叉从而限定像素区域的栅线和数据线;与数据线和栅线连接的第三TFT,该第三TFT包括第三半导体层、第三栅极,其中第三栅极在第三半导体层的正上方;沿第三半导体层的边缘从第三栅极延伸的第三突出部;和像素电极。

    采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法

    公开(公告)号:CN101078883A

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200610145450.5

    申请日:2006-11-15

    CPC classification number: H01L27/1288 H01L27/1214

    Abstract: 本发明公开了一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)的方法。一种采用无掩模曝光设备制造TFT基板的方法包括:在基板上形成用于形成数据图案的数据金属层,该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极,该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及形成于所述栅线、栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层;在数据金属层上形成光刻胶;通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶;通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶,所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少;并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。

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