公开(公告)号：CN1940646A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610087124.3

申请日：2006-06-09

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李晙硕 ,  池映承 ,  金正五

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L27/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13394

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示器件，包括：第一基板，具有彼此交叉的多个栅线和多个数据线；面对第一基板的第二基板；在第一基板内表面上的具有倒锥形形状的第一图案衬垫料；在第二基板内表面上的具有倒锥形形状的第二图案衬垫料；在第一和第二基板外边缘上的密封图案；和第一和第二基板之间的液晶层。

公开(公告)号：CN101078883A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610145450.5

申请日：2006-11-15

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 池映承 ,  康秀赫 ,  金正五

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)的方法。一种采用无掩模曝光设备制造TFT基板的方法包括：在基板上形成用于形成数据图案的数据金属层，该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极，该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及形成于所述栅线、栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层；在数据金属层上形成光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶，所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少；并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。