透反射式液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1707341A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510078542.1

    申请日:2005-06-06

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F1/1362 G02F2001/136231

    Abstract: 透反射式液晶显示器件及其制造方法。提供了一种液晶显示器件,其包括:选通线;该选通线上的第一绝缘膜;与该选通线交叉以限定像素区域的数据线,该像素区域具有透射区域和反射区域;与所述选通线和所述数据线相连的薄膜晶体管;形成在所述像素区域中的像素电极;所述薄膜晶体管上的第二绝缘膜;包括与所述选通线交叠的存储上电极的存储电容器;暴露出所述像素电极的至少一部分的透射孔;以及形成在所述像素区域的反射区域中的反射电极,该反射电极将像素电极与薄膜晶体管和存储上电极相连,其中该选通线和像素电极包括第一透明导电层。

    液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1707343A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510078545.5

    申请日:2005-06-06

    Abstract: 液晶显示装置及其制造方法。一种薄膜晶体管基板及其简化制造方法,该TFT基板包括具有增加的电容和孔径比的存储电容器,该薄膜晶体管基板包括:选通线和数据线,相互交叉以限定像素区;位于选通线与数据线之间的栅绝缘膜;连接到选通线和数据线的薄膜晶体管;半导体图案,限定TFT的沟道并由数据线所交叠;覆盖数据线和薄膜晶体管的钝化膜;以及至少一个像素电极,连接到薄膜晶体管并置于像素孔内,该像素孔被布置在像素区内。贯穿钝化膜并部分穿过栅绝缘膜形成该像素孔。此外,存储电容器包括像素电极的与下方的选通线相交叠的部分,其中,栅绝缘膜的一部分限定了像素孔。

    液晶显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1797163A

    公开(公告)日:2006-07-05

    申请号:CN200510124698.9

    申请日:2005-11-09

    Abstract: 液晶显示器件及其制造方法。依据本发明的液晶显示器件包括:基板上的选通线;数据线,其间具有栅绝缘薄膜地与所述选通线交叉用以限定像素区;薄膜晶体管,与所述选通线和数据线相连;半导体图案,沿所述数据线交叠;双层钝化膜,覆盖所述数据线和所述薄膜晶体管,其中所述钝化膜的各层具有不同的刻蚀率;以及像素电极,形成在穿透了所述双层钝化膜的上钝化膜的像素孔中,并与通过漏接触孔露出的薄膜晶体管的漏极相连接、所述像素电极形成为以围绕所述像素孔的所述上钝化膜的侧表面为边界。

Patent Agency Ranking