公开(公告)号：CN101207092A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710198799.X

申请日：2007-12-19

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 金东瑛 ,  李昌斌

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示(LCD)器件，包括：划分为像素部及第一和第二焊盘部的第一基板；形成在第一基板像素部的栅极和栅线；以岛状形成在栅极上并具有比栅极小的宽度的有源图案；绝缘膜，其形成在第一基板上并具有分别暴露有源图案的源极区域和漏极区域的第一和第二接触孔；源极和漏极，其形成在第一基板的像素部处并通过第一和第二接触孔与有源图案的源极区域和漏极区域电连接；数据线，其形成在第一基板的像素部处并与栅极线交叉，从而限定像素区域；蚀刻阻挡结构，其位于源极和漏极之间并形成为绝缘膜；与漏极电连接的像素电极；和以面对方式与第一基板粘接的第二基板。

公开(公告)号：CN101097388A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710127550.X

申请日：2007-06-28

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李昌斌

IPC: G02F1/1362 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633

Abstract: 一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括：位于基板上的栅线；与所述栅线交叉的数据线，该数据线包括由透明导电材料构成的第一层和位于该第一层下方的第二层；薄膜晶体管，包括连接到栅线上的栅极、位于该栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的有源层、位于有源层上的蚀刻阻止层、位于蚀刻阻止层上的欧姆接触层、位于欧姆接触层上并与所述第一层连接的源极和与源极间隔开设置的漏极；和漏极连接的像素电极，其中源极、漏极和像素电极和第一层位于同一层并由和第一层相同的材料形成。

公开(公告)号：CN101097365A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710112606.4

申请日：2007-06-22

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 崔秉国 ,  金孝昱 ,  李昌斌

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明公开了一种面内切换型液晶显示装置及其制造方法。用于面内切换型液晶显示装置的阵列基板包括：基板上的选通线；与选通线交叉以在基板上限定像素区的数据线；与选通线平行并分开的公共线；连接到选通线的栅极；置于栅极上方的半导体层，其中，半导体层的面积小于栅极的面积；连接到数据线的源极及与源极分开的漏极，源极和漏极置于半导体层上；与漏极集成并在像素区中从漏极延伸的多个像素电极；以及连接到公共线并与所述多个像素电极交替排列的多个公共电极，其中，源极、漏极、数据线和所述多个像素电极的每一个都由第一导电材料层和第二导电材料层构成，其中第二导电材料层置于第一导电材料层上。

公开(公告)号：CN1797163A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510124698.9

申请日：2005-11-09

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李志瑙 ,  郭喜荣 ,  李昌斌

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 液晶显示器件及其制造方法。依据本发明的液晶显示器件包括：基板上的选通线；数据线，其间具有栅绝缘薄膜地与所述选通线交叉用以限定像素区；薄膜晶体管，与所述选通线和数据线相连；半导体图案，沿所述数据线交叠；双层钝化膜，覆盖所述数据线和所述薄膜晶体管，其中所述钝化膜的各层具有不同的刻蚀率；以及像素电极，形成在穿透了所述双层钝化膜的上钝化膜的像素孔中，并与通过漏接触孔露出的薄膜晶体管的漏极相连接、所述像素电极形成为以围绕所述像素孔的所述上钝化膜的侧表面为边界。

公开(公告)号：CN101211930A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301838.4

申请日：2007-12-18

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 林周洙 ,  洪玄硕 ,  李昌斌

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板及其制造方法，其能够减小曝光掩模的使用次数从而减小工艺时间和工艺成本并且过度地蚀刻光刻胶图案之下的钝化薄膜从而易于执行光刻胶图案的剥离工艺。TFT阵列基板包括含有在基板上形成的一栅线、从栅线分离的一栅极、以及在栅线末端形成的一栅极焊盘的一栅线层，在栅线层之上形成的一栅极绝缘薄膜，在栅极上方的栅极绝缘薄膜之上形成的一半导体层，含有与栅线交叉的一数据线、在半导体层的相对侧形成的源极和漏极、以及在数据线末端形成的一数据焊盘的一数据线层，与漏极接触的一像素电极，与栅极焊盘和数据焊盘接触的第一和第二防氧化薄膜，以及在数据线层沉积的一至少双层钝化薄膜。所述至少双层钝化薄膜的最上层在不包括形成像素电极以及第一和第二防氧化薄膜的区域的剩余区域形成。