薄膜晶体管基板的制造方法

    公开(公告)号:CN1992237A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610162249.8

    申请日:2006-12-13

    Inventor: 李昌德 洪玄硕

    Abstract: 本发明公开了一种适于使用三轮掩模工序同时形成良好布图设计并去除阶梯差的薄膜晶体管基板制造方法。根据本发明的薄膜晶体管基板制造方法,包括:在基板上形成栅线;形成与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜的数据线;在栅线和数据线的交叉部分形成薄膜晶体管;在形成有薄膜晶体管的栅绝缘膜上形成钝化膜以后,形成用于露出将要形成接触孔和像素电极的区域的第一光刻胶图案;在沉积透明导电膜以后,形成第二光刻胶图案,该第二光刻胶图案暴露出形成于除将要形成接触孔和像素电极的区域以外区域的透明导电膜;以及在对由所述第二光刻胶图案暴露出的透明导电膜进行蚀刻以后,通过去除留在钝化膜上的第一和第二光刻胶图案形成钝化膜和像素电极。

    薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101211930A

    公开(公告)日:2008-07-02

    申请号:CN200710301838.4

    申请日:2007-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板及其制造方法,其能够减小曝光掩模的使用次数从而减小工艺时间和工艺成本并且过度地蚀刻光刻胶图案之下的钝化薄膜从而易于执行光刻胶图案的剥离工艺。TFT阵列基板包括含有在基板上形成的一栅线、从栅线分离的一栅极、以及在栅线末端形成的一栅极焊盘的一栅线层,在栅线层之上形成的一栅极绝缘薄膜,在栅极上方的栅极绝缘薄膜之上形成的一半导体层,含有与栅线交叉的一数据线、在半导体层的相对侧形成的源极和漏极、以及在数据线末端形成的一数据焊盘的一数据线层,与漏极接触的一像素电极,与栅极焊盘和数据焊盘接触的第一和第二防氧化薄膜,以及在数据线层沉积的一至少双层钝化薄膜。所述至少双层钝化薄膜的最上层在不包括形成像素电极以及第一和第二防氧化薄膜的区域的剩余区域形成。

    液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101191967A

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200710126907.2

    申请日:2007-06-29

    Abstract: 本发明提供液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。液晶显示装置的阵列基板包括:基板;所述基板上的选通线;薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括所述选通线的栅极、所述栅极上方的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的有源层和所述有源层上的欧姆接触层、以及所述欧姆接触层上方的源极和漏极;电连接到所述漏极的像素电极;电连接到所述源极并与所述选通线交叉的数据线;与所述像素电极间隔开的公共电极;以及直接位于所述像素电极与所述公共电极之间以及直接位于所述源极与所述漏极之间的钝化层。

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