公开(公告)号：CN101083210A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108757.2

申请日：2007-05-31

Applicant: MEC株式会社

Inventor： 王谷稔 ,  森永友香里

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4485

Abstract: 本发明的基板的制造方法包括以下工序：分别配置包含铜层的构成材料的铜层形成用材料(20)和基材(21)，使得在铜层形成用材料(20)的垂直方向上侧，基材(21)与所述铜层形成用材料(20)相对的工序；将铜层形成用材料(20)加热至90～200℃的温度范围，且将基材(21)加热至120～450℃的温度范围，从而在基材(21)上蒸镀铜以形成所述铜层的工序。提供一种适合于半导体基板和电子基板等、用于安全且低成本地制造铜纯度高且微细的铜层的基板的制造方法和其中使用的蒸镀装置。

公开(公告)号：CN1578594B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410062093.7

申请日：2004-07-05

Applicant: MEC株式会社

Inventor： 王谷稔 ,  久田纯 ,  马渡丰树

IPC: C23C20/04 ,  H05K3/00 ,  H05K3/02 ,  H05K3/40

CPC classification number: C23C18/08

Abstract: 本发明提供一种铜化合物，其分解温度在100～300℃的范围内，由1个或多个下述式(1)所示的单元连结而成：[R1COO]n[NH3]mCuX1p (1)式中，n为1～3，m为1～3，p为0～1，n个R1分别表示下述式(2)、CH2X2、CH2X2(CHX2)q、NH2、H，可以相同或不同，或n为2，当2个[R1COO]合在一起就表示为下述式(3)，R2、R3、R4分别为CH2X2、CH2X2(CHX2)q、NH2、H，R5为-(CHX2)r-，X2为H、OH、NH2，r为0～4，q为1～4，X1为NH4+、H2O或溶剂分子，[-OOC-R5-COO-] (3)从而，提供能够安全、廉价且容易地形成电子装置等的制造工序中所必需的铜薄膜的铜化合物和使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法。

公开(公告)号：CN1578594A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062093.7

申请日：2004-07-05

Applicant: MEC株式会社

Inventor： 王谷稔 ,  久田纯 ,  马渡丰树

IPC: H05K3/00 ,  H05K3/02 ,  H05K3/40 ,  C23C20/04

CPC classification number: C23C18/08

Abstract: 本发明提供一种铜化合物，其分解温度在100℃～300℃的范围内，由1个或多个下述式(1)所示的单元连结而成：[R1COO]n[NH3]mCuX1p(1)式中，n为1～3，m为1～3，p为0～1，n个R1分别表示下述式(2)、CH2X2、CH2X2(CHX2)q、NH2、H，可以相同或不同，或n为2，当2个[R1COO]合在一起就表示为下述式(3)，R2、R3、R4分别为CH2X2、CH2X2(CHX2)q、NH2、H，R5为－(CHX2)r－，X2为H、OH、NH2，r为0～4，q为1～4，X1为NH4+、H2O或溶剂分子，（2）[－OOC－R5－COO－](3)从而，提供能够安全、廉价且容易地形成电子装置等的制造工序中所必需的铜薄膜的铜化合物和使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法。