蚀刻剂及电路基板的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116601331A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202180086278.3

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明是一种蚀刻剂,其选择性地蚀刻包含比铜还贵的金属的贵金属层与铜层共存的被处理物的铜层,该蚀刻剂包含:铜离子、选自环内具有2个以上氮原子的杂环化合物及碳数8以下的含有氨基的化合物所构成群组中的一种以上的含氮化合物、聚烷二醇、以及卤离子;前述蚀刻剂含有0.0005重量%以上7重量%以下的聚烷二醇,且含有1ppm以上250ppm以下的卤离子。

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