HALBLEITERVORRICHTUNG MIT VERSTÄRKTER INTEGRIERTER SCHALTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAVON

    公开(公告)号:DE112019003153T5

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:DE112019003153

    申请日:2019-05-24

    Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungsgehäusen können das Anordnen eines Metallmaterials mindestens teilweise um eine Region einer integrierten Schaltung, die in einer aktiven Oberfläche eines Halbleiterchips eingebettet ist, einschließen, wobei sich das Metallmaterial auf der aktiven Oberfläche befindet. Mindestens ein Abschnitt des Metallmaterials kann von der Region der integrierten Schaltung elektrisch getrennt bleiben. Der Halbleiterchip und das Metallmaterial können in einem Kapselungsmaterial gekapselt sein, wobei sich das Kapselungsmaterial bis zu einer Höhe über der aktiven Oberfläche erstreckt, die höher als eine maximale Höhe des Metallmaterials über der aktiven Oberfläche ist.

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